Категории
Структура: p-n-p Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 90MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5mkA h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...75 (1V; 10mA) Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5V) Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400пс
В наличии: 44 шт.
7000 
+
Структура: n-p-n Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 600MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60...180 при 3В; 5мА Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
В наличии: 88 шт.
12500 
+
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, переключательные маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ сигнала.
В наличии: 3 шт.
6000 
+
В наличии: 1 шт.
49900 
+
В наличии: 2 шт.
Свяжитесь с нами насчёт цены
50ма, 30В, 0,3W, h21-0,65…0,8
В наличии: 4 шт.
18500 
+
B1-B2-15, Uкэ- 70V, Iкм-10A , Pк-60W
В наличии: 1 шт.
14500 
+
Uкэ-80v/ Iкм-20A/ Iк imp-40/ h21-750-18000 / Darl /Pk-125w/ P-N-P
В наличии: 5 шт.
39500 
+
Uкб-60v/ Uкэ-60v/ Iкм-20A/ Iк imp-40/ h21-750-18000 / Darl /Pk-160w/ P-N-P
В наличии: 2 шт.
29500 
+
/750-18000/Uкб-100v/Uкэ-100v/20A/Iкм-40 / Darl /Pт-125w (BDX63/BDX65B/BDX67/BDX87C/MJ3521/MJ4035/2N6059/2N6284) N-P-N
В наличии: 4 шт.
59500 
+
750-18000/Uкб-60v/Uкэ-60v/20A/Iкм-40 / Darl /Pт-125w (BDX85/BDX85A/BDX87/BDX87A/MJ3000/MJ3520/MJ4033/2N6057/2N6282) N-P-N
В наличии: 3 шт.
31500 
+
В наличии: 7 шт.
8600 
+
КТ1-7
транзистор биполярный, кремниевый двухэмиттерный, p-n-p структуры переключательный, для модуляторов, корпус металлостеклянный КТ1-
В наличии: 2 шт.
14400 
+
В наличии: 4 шт.
11700 
+
Показать еще 20 товаров