Активные компоненты

6500 
В наличии: 6 шт.
+
TO252/DPAK
21000 
В наличии: 1 шт.
+
TO252/DPAK
9700 
В наличии: 4 шт.
+
9000 
В наличии: 167 шт.
+
в ряд
(KBL610/KBU610/RS607/RS507=5A/KBL507=5A/KBL606=600V/GBU608=800V) KBU (RS-2) в ряд (23.7х18х7мм)
11500 
В наличии: 24 шт.
+
в ряд
(GBU606=600V/GBU6J =600V) (22x19x3.5мм) (GBU806/KBL608/D6SB80/D6SBA80/GBU608)
9700 
В наличии: 9 шт.
+
квадрат под пайку
14600 
В наличии: 2 шт.
+
в ряд
GBU808/KBU808/GBU8K=560V
11500 
В наличии: 8 шт.
+
TO-252
- ULTRAFAST RECTIFIER, 2x6A, 200V,
17400 
В наличии: 1 шт.
+
TO220
ULTRAFAST RECTIFIER, 2x6A, 200V,
13200 
В наличии: 2 шт.
+
13200 
В наличии: 1 шт.
+
13200 
В наличии: 1 шт.
+
18500 
В наличии: 7 шт.
+
27600 
В наличии: 2 шт.
+
9300 
В наличии: 12 шт.
+
4500 
В наличии: 4 шт.
+
TO252/DPAK
13500 
В наличии: 4 шт.
+
26100 
В наличии: 1 шт.
+
SOT23
N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 2.3A, 20V
2900 
В наличии: 1 шт.
+
SOT23-3
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2800 
В наличии: 150 шт.
+
P-Channel Specified PowerTrench MOSFET, 20V, 2.9A
7800 
В наличии: 6 шт.
+
N-Channel MOSFET, 20V, 6A,
5500 
В наличии: 8 шт.
+
Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,
8600 
В наличии: 4 шт.
+
N- and P-Channel Complementary PowerTrench® MOSFET 60V
11600 
В наличии: 2 шт.
+
DO214AB
5100 
В наличии: 2 шт.
+
DO214AB
3300 
В наличии: 25 шт.
+
DO214AB
5100 
В наличии: 2 шт.
+
DO214AB
5100 
В наличии: 2 шт.
+
19800 
В наличии: 1 шт.
+
SOP20
Микроконтроллер STM 32-бит ядро ARM
16500 
В наличии: 3 шт.
+
18400 
В наличии: 2 шт.
+
SO8
26500 
В наличии: 1 шт.
+
27900 
В наличии: 1 шт.
+
16800 
В наличии: 8 шт.
+
FLEXIWATT27
PA-DMOS 4x28W-4 Om , 14.4V, /4x40W-EIAJ / 4x72W/2Ω / УНЧ
59500 
В наличии: 3 шт.
+
SOP8
Микросхема для ремонта дворников после колхоз ксенона
35700 
В наличии: 8 шт.
+
2700 
В наличии: 9 шт.
+
(пара BC856/BC857/BC858) SMD N-P-N 0,15A , 65/80V (hFE -A=90/B=150/C=270) Uni; 100MHz
1500 
В наличии: 446 шт.
+
N-P-N 0,1A 45/50V 45V (hFE -A=90/B=150/C=270) Uni, h21-150 , 100MHz , 0.25W
1800 
В наличии: 85 шт.
+
2500 
В наличии: 8 шт.
+
4000 
В наличии: 6 шт.
+
(hFE-817-16=100-250/817-25=160-400/817-40=250-630) NF-Tr, 200MHz
1000 
В наличии: 39 шт.
+
3200 
В наличии: 50 шт.
+
SOT23
0,5A , 25/30V, 0.2W, hFE-818-16=100-250/818-25=160-400/818-40=250-630) VCE-0.7V 170MHz
2200 
В наличии: 109 шт.
+
SOT223
1A, 60V, 1.5W, Hfe-40-250, 130Mhz
3500 
В наличии: 21 шт.
+
SOT223
1A, 80/100V, 1.5W, Hfe-40-250, 130Mhz
3000 
В наличии: 8 шт.
+
5900 
В наличии: 11 шт.
+
3600 
В наличии: 12 шт.
+
SOT23
Uni, 50V, 150MHz (hfe BC857=125-800/BC857A=125-250/BC857B=220-475/BC857C=420-800)
1200 
В наличии: 106 шт.
+
2200 
В наличии: 71 шт.
+
1000 
В наличии: 79 шт.
+
9300 
В наличии: 1 шт.
+
13000 
В наличии: 6 шт.
+
17000 
В наличии: 3 шт.
+
3800 
В наличии: 10 шт.
+
3900 
В наличии: 11 шт.
+
6400 
В наличии: 24 шт.
+
SOT23-3
N-P-N 0,1A , 45/50V, (hFE -A=90/B=150/C=270) Uni, h21-150 , 100MHz , 0.25W
1100 
В наличии: 233 шт.
+
N-P-N+P-N-P 0,1A, 45/50V (hFE =200-450) Dual (марк. 13t) {BC847 (NPN) + BC857 (PNP) N+P
1400 
В наличии: 334 шт.
+
SOT23-3
0,1A , 45/50V, hFE -A=90/B=150/C=270, 100MHz, 0.25W, N-P-N
1400 
В наличии: 59 шт.
+
SOT23
P-N-P 0,1A, (hFE BC856=125-475/BC856A=125-250/BC856B=220-475) Uni, 65-80V, 150MHz , 0.31W
1100 
В наличии: 360 шт.
+
Сд min: Общая емкость минимальная: 22 пФ при Uобр 4V Cном: 22...32пФ Ioбp макс: не более 10мкА Kс: 2.7...3.3 Qв: 30 T: -60...+125°C Uoбp макс: 45V
2500 
В наличии: 8 шт.
+
Сд min : Общая емкость минимальная: 34 пФ при Uобр 4V Сд max: Общая емкость максимальная: 44 пФ при Uобр 4V Qв : Добротность варикапа: 30 Iобр: Постоянный обратный ток: 1 мкА при Uобр 45V Uo6p : Постоянное обратное напряжение: 45V Токр : Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60… +125 °С Qв: 30 T: -60...+125°C Uoбp макс: 45V
3000 
В наличии: 9 шт.
+
5200 
В наличии: 1 шт.
+
Варикапы 2В110Б кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные. Предназначены для применения в схемах подстройки частоты резонансных усилителей
8500 
В наличии: 12 шт.
+
Диоды кремниевые Д104, микросплавные, универсальные. Предназначены для применения в системах АРУ, дискриминаторах, видеоусилителях. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,53 г. Основные технические характеристики диода Д104: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 30 мА; • fд - Рабочая частота диода: 150 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 2 В при Inp 2 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,5 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,7 пФ при Uoбp 1 В
2000 
В наличии: 481 шт.
+
Максимальное постоянное обратное напряжение: 100V Максимальный постоянный прямой ток: 5А Максимальная рабочая частота: 1kHz Постоянное прямое напряжение: (при прямом токе 5А) 0,3V Постоянный обратный ток: (при обратном напряжении 100V) 2000mkA
8500 
В наличии: 34 шт.
+
1200 
В наличии: 405 шт.
+
1200 
В наличии: 377 шт.
+
900 
В наличии: 126 шт.
+
Тиристоры кремниевые КН102Б, диффузионные, структуры p-n-p-n, диодные
11500 
В наличии: 4 шт.
+
Тиристоры кремниевые КН102В, диффузионные, структуры p-n-p-n, диодные
11500 
В наличии: 3 шт.
+
29500 
В наличии: 2 шт.
+
Диод Д112-16Х-10 полупроводниковый, низкочастотный, кремниевый, диффузионный, обратной полярности, штыревого исполнения с жёстким выводом. Предназначен для работы в силовых цепях постоянного и переменного тока частотой до 1,5 кГц и силе тока до 16 А. Диод Д112-16Х-10 используется в цепях статических преобразователей электроэнергии в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Отличается повышенными рабочими температурами и улучшенными массогабаритными показателями. Выпускается в герметичном металлостеклянном корпусе с верхним силовым выводом. Диод Д112-16 может иметь как прямую, так и обратную полярность. У диодов прямой полярности анодом является корпус, а катодом - жёсткий вывод. У диодов обратной полярности (в обозначении добавляется буква «Х» - Д112-16Х) анодом является вывод
29500 
В наличии: 2 шт.
+
Диод ДЛ112-16-14 лавинный, полупроводниковый, низкочастотный, штыревого исполнения с жёстким выводом, прямой полярности. Предназначен для работы в силовых цепях постоянного и переменного тока частотой не более 1,5 кГц и силе тока до 16 А. Диод лавинный ДЛ112-16-14 используется в промышленных преобразователях и выпрямителях малой и средней мощности электронной аппаратуры общего назначения. Имеет максимальную мощность рассеивания в режиме лавинного пробоя и может применяться в неуправляемых и полууправляемых выпрямительных мостах, в промышленных электроприводах, в источниках постоянного тока, а также для защиты цепей аппаратуры от импульсных электрических перегрузок по напряжению. Выпускается в герметичном металлостеклянном корпусе с верхним силовым выводом. Диод лавинный ДЛ112-16 может иметь как прямую, так и обратную полярность. У диодов прямой полярности анодом является корпус, а катодом - жёсткий вывод. У диодов обратной полярности (в обозначении добавляется буква «Х») анодом является вывод.
34500 
В наличии: 2 шт.
+
Показать еще 128 товаров