Активные компоненты

Структура: p-n-p Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 90MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5mkA h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...75 (1V; 10mA) Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5V) Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400пс
7000 
В наличии: 44 шт.
+
Структура: n-p-n Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 600MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60...180 при 3В; 5мА Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
12500 
В наличии: 88 шт.
+
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, переключательные маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ сигнала.
6000 
В наличии: 3 шт.
+
5700 
В наличии: 199 шт.
+
4100 
В наличии: 8 шт.
+
14600 
В наличии: 36 шт.
+
8400 
В наличии: 27 шт.
+
60V, 0,115A / N-FET (12w)
900 
В наличии: 470 шт.
+
12600 
В наличии: 5 шт.
+
25200 
В наличии: 6 шт.
+
V-MOS, 250V, 6A, 20W, <0,85к (3A) K-PAC L
15800 
В наличии: 5 шт.
+
8700 
В наличии: 2 шт.
+
125W, VGS(off) -1.5-2.5v, yfs-74S, RDS-0.0088 Om, in-1100pf, tr-18ms, N-FEET+diode(trr-85ns)
16800 
В наличии: 1 шт.
+
14000 
В наличии: 9 шт.
+
Показать еще 20 товаров