Активные компоненты

12200 
В наличии: 2 шт.
+
TO220
F-Thy; 500V; Igt/Ih<15/<20mA; 2uS
8500 
В наличии: 10 шт.
+
9500 
В наличии: 4 шт.
+
12200 
В наличии: 16 шт.
+
8500 
В наличии: 6 шт.
+
48700 
В наличии: 2 шт.
+
14000 
В наличии: 8 шт.
+
11100 
В наличии: 2 шт.
+
TO220
600V, Igt- 40ma
11000 
В наличии: 6 шт.
+
TO202
o500V, Igt-200mka
4500 
В наличии: 29 шт.
+
TO220F
1500V, IGT=10mA max +zener
27000 
В наличии: 1 шт.
+
11100 
В наличии: 4 шт.
+
15600 
В наличии: 8 шт.
+
87600 
В наличии: 2 шт.
+
31800 
В наличии: 1 шт.
+
SOT223
6400 
В наличии: 7 шт.
+
SOT223
6400 
В наличии: 4 шт.
+
14900 
В наличии: 9 шт.
+
SOT-23
Reverse Blocking Thyristor, Sensitive Gate, 0.8A, 400V,
7300 
В наличии: 1 шт.
+
17400 
В наличии: 6 шт.
+
6500 
В наличии: 22 шт.
+
9500 
В наличии: 1 шт.
+
7500 
В наличии: 6 шт.
+
12000 
В наличии: 253 шт.
+
TO220
Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 600 В; • Максимальный постоянный ток в открытом состоянии: 10 А; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 10 мА; • Постоянный обратный ток: не более 10 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 150 мкс
15500 
В наличии: 10 шт.
+
TO220
Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 600 В; • Максимальный постоянный ток в открытом состоянии: 10 А; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 10 мА; • Постоянный обратный ток: не более 10 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 150 мкс
17000 
В наличии: 7 шт.
+
Триодный кремниевый n-p-n-p-n симметричный тиристор
9700 
В наличии: 4 шт.
+
67100 
В наличии: 1 шт.
+
28500 
В наличии: 10 шт.
+
33600 
В наличии: 8 шт.
+
12600 
В наличии: 1 шт.
+
13200 
В наличии: 3 шт.
+
9800 
В наличии: 3 шт.
+
14500 
В наличии: 1 шт.
+
Структура: p-n-p Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 90MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5mkA h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...75 (1V; 10mA) Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5V) Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400пс
7000 
В наличии: 44 шт.
+
Структура: n-p-n Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 600MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60...180 при 3В; 5мА Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
12500 
В наличии: 88 шт.
+
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, переключательные маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ сигнала.
6000 
В наличии: 3 шт.
+
60V, 0,115A / N-FET (12w)
900 
В наличии: 491 шт.
+
12600 
В наличии: 5 шт.
+
SOT-23
General purpose NPN transistor, 50V, 0.15A,
1400 
В наличии: 6 шт.
+
25200 
В наличии: 6 шт.
+
3600 
В наличии: 20 шт.
+
125W, VGS(off) -1.5-2.5v, yfs-74S, RDS-0.0088 Om, in-1100pf, tr-18ms, N-FEET+diode(trr-85ns)
16800 
В наличии: 1 шт.
+
14000 
В наличии: 9 шт.
+
26000 
В наличии: 1 шт.
+
49900 
В наличии: 1 шт.
+
47600 
В наличии: 1 шт.
+
38100 
В наличии: 1 шт.
+
14000 
В наличии: 2 шт.
+
9200 
В наличии: 8 шт.
+
11600 
В наличии: 2 шт.
+
14000 
В наличии: 1 шт.
+
16900 
В наличии: 2 шт.
+
12000 
В наличии: 2 шт.
+
18200 
В наличии: 2 шт.
+
21200 
В наличии: 1 шт.
+
9200 
В наличии: 20 шт.
+
17300 
В наличии: 2 шт.
+
18300 
В наличии: 2 шт.
+
16800 
В наличии: 4 шт.
+
13100 
В наличии: 3 шт.
+
13100 
В наличии: 4 шт.
+
15900 
В наличии: 2 шт.
+
14500 
В наличии: 2 шт.
+
14500 
В наличии: 1 шт.
+
11600 
В наличии: 3 шт.
+
11600 
В наличии: 8 шт.
+
8500 
В наличии: 2 шт.
+
30V, 27W, 20A, tr-9,4ns , tf-12ns /P-FET+diode(trr-14ns)
11600 
В наличии: 5 шт.
+
DFN3X3mm
30V, 20W, 24A, tr-3,2ns , tf-6ns /N-FET+diode (trr-9ns)
10700 
В наличии: 10 шт.
+
14400 
В наличии: 4 шт.
+
19800 
В наличии: 1 шт.
+
23600 
В наличии: 4 шт.
+
21600 
В наличии: 1 шт.
+
13900 
В наличии: 3 шт.
+
11600 
В наличии: 1 шт.
+
SO8
16800 
В наличии: 1 шт.
+
SOT-89
14500 
В наличии: 2 шт.
+
SO8
23600 
В наличии: 1 шт.
+
TO252/DPAK
14500 
В наличии: 1 шт.
+
19800 
В наличии: 4 шт.
+
TO-251
18300 
В наличии: 1 шт.
+
18900 
В наличии: 1 шт.
+
TO-220CFM
23600 
В наличии: 1 шт.
+
14500 
В наличии: 5 шт.
+
28400 
В наличии: 1 шт.
+
Показать еще 128 товаров