Активные компоненты

DUAL , 35V , N-15A , 0.03 Om/35V , P-12A , 0.048 Om , 11W , tr-7ns +diode (trr-18ns) NP-FET
11200 
В наличии: 53 шт.
+
15500 
В наличии: 8 шт.
+
20.7A, 208W, <0,19Om , Gfs-17,5s, tr-5ns, tf-4,5ns / N-FET+diode (trr-500ns)
16800 
В наличии: 3 шт.
+
21000 
В наличии: 10 шт.
+
60V, 20A, 31.3W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
9700 
В наличии: 9 шт.
+
- Power Mosfet N-channel, 60V, 20A, TO-252-2L
8600 
В наличии: 1 шт.
+
24500 
В наличии: 6 шт.
+
12000 
В наличии: 10 шт.
+
100V, 26A, 50W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
8500 
В наличии: 9 шт.
+
100V, 33A, 54W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
9700 
В наличии: 9 шт.
+
40V, 35A, 50W, 0.0124Om ,gfs-60S,Vgs-1.7-2.7v, in-980pf, tr-12ns , tf-7ns /N-FET+diode (trr-12ns)
17000 
В наличии: 1 шт.
+
60V, 35A, 70W, VGS-1-2.5v, 0.025 Om, GFS-25S, tr-102ns, tf-25ns, in-1600pf /N-FET+diode(trr-70ns)
13100 
В наличии: 6 шт.
+
60V , 35A , 80W , 0.014 Om , gfs-28S,VGS-1v, tr-100ns, tf-20ns, in-1700pf /N-FET+diode (trr-80ns)
15800 
В наличии: 1 шт.
+
Power Mosfet N-channel+Diode, 60V, 50A, 136W
9500 
В наличии: 3 шт.
+
11500 
В наличии: 4 шт.
+
Power Mosfet N-channel+Diode, 60V, 58A, 85W TO-252-2L
12000 
В наличии: 10 шт.
+
Power Mosfet N-channel, 60V, 60A, 85W TO-252-2L
11500 
В наличии: 10 шт.
+
12000 
В наличии: 8 шт.
+
70A , 60V, 142W, gfs-50S, in-2400pf , rDS(on)-0.014 Om , 11ns , VGS(th) -3-4v, N-FEET+diode(trr-70ns)
28500 
В наличии: 4 шт.
+
60V, 72A, 34.7W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
11000 
В наличии: 10 шт.
+
11000 
В наличии: 8 шт.
+
14500 
В наличии: 10 шт.
+
70V, 80A, 178W, TO-252-2L, 40V, N-Channel
12000 
В наличии: 10 шт.
+
12500 
В наличии: 8 шт.
+
- Power Mosfet N-channel+diod, 60V, 80A, 110W TO-252-2L
11000 
В наличии: 10 шт.
+
12000 
В наличии: 10 шт.
+
11500 
В наличии: 6 шт.
+
60V, 50A, 110W, 0.015 Om /N-FET+diode (trr75ns)
11100 
В наличии: 23 шт.
+
15800 
В наличии: 1 шт.
+
600V , 7A , 0.95 Om , 125W ,vgs-3-4.5V ,tt-19ns ,tf-15ns, in-1110pf /N-FET+Zener(2шт)+diode(trr-480ns)
19500 
В наличии: 3 шт.
+
7800 
В наличии: 2 шт.
+
70W , 0.028 Om , Vgs-1V , gfs-23S , tr-122ns , tf-26ns /P-FET+diode (trr-40ns)
17000 
В наличии: 8 шт.
+
21600 
В наличии: 1 шт.
+
35000 
В наличии: 2 шт.
+
Транзисторы КП303Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты, частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12 (маркировка КП303Г, 3ГС6, 3ГС3)
12000 
В наличии: 8 шт.
+
Макс. напр. затвор-исток Uзи-: 27 В , Крутизна характеристики: 1... 5мА/В , 0,2W , КТ-1-12 сток-исток: 20 В, затвор-исток: 30 В, р-n переходом
8500 
В наличии: 4 шт.
+
с двумя изолированными затворами и каналом N-типа, (марк. 1-й белой каплей) с p-n переходом
6000 
В наличии: 7 шт.
+
с двумя изолированными затворами и каналом N-типа, (марк. 2-е белые капли) с p-n переходом
6000 
В наличии: 10 шт.
+
15V , 30ma , Макс. напр. затвор-исток Uзи-: 0,17…6 В , Крутизна характеристики: 6 мА/В , 0,2W , КТ-1-14 каналом n-типа и двумя изолированными затворами
22000 
В наличии: 5 шт.
+
9600 
В наличии: 2 шт.
+
8900 
В наличии: 2 шт.
+
52500 
В наличии: 12 шт.
+
28300 
В наличии: 5 шт.
+
3800 
В наличии: 6 шт.
+
24900 
В наличии: 2 шт.
+
88054
Основные технические и эксплуатационные характеристики фотодиода ФД-256: • Площадь фоточувствительного элемента (эффективная), мм2 ...... 1,37 (4); • Рабочее напряжение, В ...... 10; • Диапазон спектральной чувствительности, мкм ...... 0,4 - 1,1; • Максимум спектральной характеристики, мкм ...... 0,8 - 0,9; • Темновой ток, нА, не более ...... 5; • Интегральная токовая чувствительность мкА/лк, не менее ...... 0,02; • Собственная постоянная времени (U = 10 В), нс, не более ...... 10; • Собственная постоянная времени (U = 60 В), нс, не более ...... 2; • Корпус ...... металлический; • Электрическая плотность изоляции В, не менее ...... 180;
14500 
В наличии: 3 шт.
+
16900 
В наличии: 1 шт.
+
9800 
В наличии: 3 шт.
+
9900 
В наличии: 4 шт.
+
круглый d=5мм, 2pin длинной 30мм (розово белый)
4300 
В наличии: 19 шт.
+
круглый d=5мм, 2pin длинной 30мм (розово белый) CdS Photoconductive cells (CdS Photoresistor) 5x4,3мм, Rосвещ.50..100КОм, Rтемн.3МОм, 0,1Вт, 540нм
5100 
В наличии: 85 шт.
+
круглый d=5мм, 2pin длинной 30мм (розово белый)
3500 
В наличии: 80 шт.
+
16500 
В наличии: 1 шт.
+
13500 
В наличии: 1 шт.
+
12800 
В наличии: 1 шт.
+
73200 
В наличии: 3 шт.
+
Фототранзистор ФТ-1К гр.1 кремниевый планарный «ближнего» диапазона ИК-спектра с двумя p-n переходами и одним фоточувствительным элементом. Основные технические и эксплуатационные характеристики фототранзистора ФТ-1К гр.1: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 1,8 мм; • Область спектральной фоточувствительности: 0,5...1,12 мкм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,8...0,9 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 3 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,4 мкА/лк
14500 
В наличии: 1 шт.
+
NF/S-L, 160V, 16A, 150W, >0,2MHz / N /
28500 
Нет в наличии
40V , N-6A , P-5A , 0.031/0.045 Om , gfs-22S , tr-3.3ns , tf-3ns , 404pf /NP-FET+diode(trr-20.5ns)
9100 
Нет в наличии
7200 
Нет в наличии
17900 
Нет в наличии
14500 
Нет в наличии
11100 
Нет в наличии
SOP8
Работа с одним источником питания От 2,7 до 3,6 В для операций чтения, стирания и программирования Поддерживает последовательный периферийный интерфейс - режим 0 и режим 3 8,388,608 x 1 битовая структура или 4 194 304 x 2 бит (режим двойного вывода) 256 равных секторов по 4К байта каждый Любой сектор можно стереть индивидуально 16 равных блоков по 64 Кбайт каждый Любой блок можно стереть индивидуально Возможности программы Байтовая база База страницы (256 байт) Защита от фиксации до 100 мА от -1 В до Vcc + 1 В Высокая производительность Быстрое время доступа: последовательные часы 86 МГц Последовательные часы в режиме двойного выхода: 80 МГц Быстрое время программирования: 0,6 мс (тип.) И 3 мс (макс.) На страницу Время байтовой программы: 9 мкс (типичное) Время быстрого стирания: 40 мс (тип.) / Сектор; 0,4 с (тип.) / Блок Низкое энергопотребление Низкий активный ток чтения: 12 мА (макс.) При 86 МГц Низкий активный ток программирования: 15 мА (тип.) Низкий активный ток стирания сектора / блока: 9 мА (тип.)
9800 
Нет в наличии
Microchip (ОРИГИНАЛ)
62700 
Нет в наличии
39200 
Нет в наличии
18200 
Нет в наличии
500 
Нет в наличии
700 
Нет в наличии
1000V , Vf-1.3V , 500ns, 4x2.5mm
500 
Нет в наличии
600V , 2 x 8A , VF-1.2V , trr-35ns (маркировка U1660G) сдвоенный, с общим катодом
14500 
Нет в наличии
(RF2001NS3D=350V) TV Dual, S-L, VF-1.0V trr-35ns (сдвоенный общий катод) в сварочных
18500 
Нет в наличии
, 2A, 75ns, (=BYG20J -600V , 1.5A , 75ns) SMD DO214AA/SMB (4мм х5мм)
1200 
Нет в наличии
39800 
Нет в наличии
27700 
Нет в наличии
9800 
Нет в наличии
3200 
Нет в наличии
3000 
Нет в наличии
40ns , Vf- 1.05V, Сдвоенный с общим катодом
34500 
Нет в наличии
400V, 50ns,VF-1.05V, trr-50ns (Цоколевка 1-3 -Анод ,2-катод)
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
78100 
Нет в наличии
(2 x 30A , 300V , trr-55ns ,VF-1V) (сдвоенный общий катод)
54200 
Нет в наличии
34500 
Нет в наличии
2x30A , 300V , trr-25ns, VF-0,94V) (сдвоенный встречный общий катод )
35500 
Нет в наличии
49700 
Нет в наличии
52400 
Нет в наличии
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
8000 
Нет в наличии
32500 
Нет в наличии
19800 
Нет в наличии
13100 
Нет в наличии
N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 2.3A, 20V
2900 
Нет в наличии
Dual N-Channel MOSFET, 60V, 6.5A,
10500 
Нет в наличии
Показать еще 128 товаров