Активные компоненты

2900 
Нет в наличии
1100 
Нет в наличии
14400 
Нет в наличии
Power PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor, 60V, 8A
8600 
Нет в наличии
14400 
Нет в наличии
11500 
Нет в наличии
/ NF-L, 55V, 25A, 125W, >3MHz / P-N-P (пара TIP35C)
17500 
Нет в наличии
/ NF-L, 55V, 25A, 125W, >3MHz / P-N-P (пара TIP35C)
18500 
Нет в наличии
21200 
Нет в наличии
18900 
Нет в наличии
30ма, 30В, 0,3W, R=4-9K, 200кГц, h21-0.65-0.9
14000 
Нет в наличии
Транзисторы КТ117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах, преобразователях. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18)
12000 
Нет в наличии
9700 
Нет в наличии
50мA, 30В, 0,3W, 200кГц, h21-0.65-0.8 N-база Транзисторы КТ117Г кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах, преобразователях. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18)
12000 
Нет в наличии
Показать еще 20 товаров