TO220
Power NPN Transistor 150V, 1.5A, 25W
3600 
В наличии: 20 шт.
+
Структура: p-n-p Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 90MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5mkA h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...75 (1V; 10mA) Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5V) Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400пс
7000 
В наличии: 44 шт.
+
Структура: n-p-n Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 600MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60...180 при 3В; 5мА Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
12500 
В наличии: 88 шт.
+
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, переключательные маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ сигнала.
6000 
В наличии: 3 шт.
+
49900 
В наличии: 1 шт.
+
/750-18000/Uкб-100v/Uкэ-100v/20A/Iкм-40 / Darl /Pт-125w (BDX63/BDX65B/BDX67/BDX87C/MJ3521/MJ4035/2N6059/2N6284) N-P-N
59500 
В наличии: 2 шт.
+
750-18000/Uкб-60v/Uкэ-60v/20A/Iкм-40 / Darl /Pт-125w (BDX85/BDX85A/BDX87/BDX87A/MJ3000/MJ3520/MJ4033/2N6057/2N6282) N-P-N
31500 
В наличии: 2 шт.
+
8600 
В наличии: 7 шт.
+
30ма, 30В, 0,3W, R=4-9K, 200кГц, h21-0.65-0.9
14000 
В наличии: 1 шт.
+
КТ1-7
транзистор биполярный, кремниевый двухэмиттерный, p-n-p структуры переключательный, для модуляторов, корпус металлостеклянный КТ1-
14400 
В наличии: 2 шт.
+
1200 
В наличии: 6 шт.
+
2600 
В наличии: 1 шт.
+
500 
В наличии: 1 шт.
+
700 
В наличии: 1 шт.
+
1200 
В наличии: 347 шт.
+
1200 
В наличии: 2 шт.
+
11700 
В наличии: 4 шт.
+
2500 
В наличии: 9 шт.
+
Транзисторы КТ3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
12000 
В наличии: 2 шт.
+
1400 
В наличии: 38 шт.
+
1500 
В наличии: 46 шт.
+
3600 
В наличии: 1 шт.
+
40V, 0,02A, 0,1W, PNP, h21э-15...180. КТ1/TO18 Металл
7500 
В наличии: 10 шт.
+
SMD
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80…250 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.075 Корпус кт-46(sot-23) Вес, г 0.05
3600 
В наличии: 5 шт.
+
20-90/ 250мГц/Uкб-40v/Uкэ-30v/Iкм-100ma/Pк-150мвт/N/
1200 
В наличии: 312 шт.
+
50-350/250мГц/Uкб-35v/Uкэ-25v/Iкм-100ma/Pк-150мвт/N/
2000 
В наличии: 205 шт.
+
2000 
В наличии: 10 шт.
+
СИНЯЯ и ТЕМНО-ЗЕЛЕНАЯ точки, N-P-N
2500 
В наличии: 10 шт.
+
4800 
В наличии: 3 шт.
+
1400 
В наличии: 7 шт.
+
1000 
В наличии: 360 шт.
+
700 
В наличии: 1787 шт.
+
800 
В наличии: 261 шт.
+
700 
В наличии: 42 шт.
+
700 
В наличии: 88 шт.
+
4100 
В наличии: 6 шт.
+
9000 
В наличии: 10 шт.
+
14600 
В наличии: 15 шт.
+
(КТ602А=h21-20-80/КТ602Г=80V) 120/100V , 0.075A , 0.85W , h21-50-200 , 150MHz никель
11500 
В наличии: 1 шт.
+
1400 
В наличии: 1 шт.
+
2400 
В наличии: 37 шт.
+
2900 
В наличии: 3 шт.
+
700 
В наличии: 218 шт.
+
3500 
В наличии: 12 шт.
+
2200 
В наличии: 13 шт.
+
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-9. Импортный аналог: BSX63, 2N2890, 2N2891, 2N4237, 2N4239, 2SN4150
2500 
В наличии: 40 шт.
+
14500 
В наличии: 2 шт.
+
9500 
В наличии: 32 шт.
+
6500 
В наличии: 1 шт.
+
B1-B2=20- 125//Uкэ=130v/Iк=10A/Iбм=4A/Pт=70w /N-P-N/ TO3-2
28500 
В наличии: 50 шт.
+
B1-B2=20- 125//Uкэ=70v/Iк=10A/Iбм=4A/Pт=70w /N-P-N/ TO3-2
22000 
В наличии: 5 шт.
+
700V/8A/50W/3MHZ/N/ (BDY94/BUX82/BUX83/2N5240/2N6079/2SC1576/2SC2137/КТ828Б/КТ704Б/2N3585)
24500 
В наличии: 4 шт.
+
4000 
В наличии: 75 шт.
+
5700 
В наличии: 1 шт.
+
3500 
В наличии: 71 шт.
+
7000 
В наличии: 38 шт.
+
29500 
В наличии: 4 шт.
+
B1-B2-12, Uкэ- 100V, Iкм-10A , Pк-60W / N-P-N /
8500 
В наличии: 46 шт.
+
17500 
В наличии: 12 шт.
+
14900 
В наличии: 1 шт.
+
TO3PB
350V, 20A, 125W, N-P-N
18500 
В наличии: 3 шт.
+
/750-18000/Uкэ-60v/Iкм-20A/Iкimp-30 / Darl /Pт-125w TO3-2 (BDX62/BDX64/BDX66/BDX88/BDX88A/MJ2500/MJ4030/2N6050/2N6285) P-N-P
39500 
В наличии: 4 шт.
+
Транзисторы КТ826В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3)
18000 
В наличии: 1 шт.
+
/750-18000/Uкб-80v/Uкэ-80v/20A/Iкм-40/Pт-125w (BDX63/BDX65/BDX67/BDX85B/BDX87B/MJ3001/MJ4034/2N6058/2N6283) N-P-N
49500 
В наличии: 7 шт.
+
2900 
В наличии: 55 шт.
+
18700 
В наличии: 1 шт.
+
TO220
(B1-B2-40-200/Uкб-250в/Uкэ--200в/2A/25W/Iкбо-<=100мкА/P/)
9500 
В наличии: 23 шт.
+
5500 
В наличии: 18 шт.
+
6200 
В наличии: 21 шт.
+
6500 
В наличии: 9 шт.
+
Показать еще 106 товаров