КТ1-7
транзистор биполярный, кремниевый двухэмиттерный, p-n-p структуры переключательный, для модуляторов, корпус металлостеклянный КТ1-
14400 
В наличии: 2 шт.
+
30ма, 30В, 0,3W, R=4-9K, 200кГц, h21-0.65-0.9
14000 
В наличии: 1 шт.
+
12500 
В наличии: 3 шт.
+
Структура: n-p-n Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 600MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60...180 при 3В; 5мА Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
12500 
В наличии: 88 шт.
+
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 0,5 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,6 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30.. 80 Обратный ток коллектора 25 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 1 МГц
12000 
В наличии: 1 шт.
+
Транзисторы КТ3102Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
12000 
В наличии: 3 шт.
+
Транзисторы КТ3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
12000 
В наличии: 2 шт.
+
11700 
В наличии: 4 шт.
+
11700 
В наличии: 1 шт.
+
(КТ602А=h21-20-80/КТ602Г=80V) 120/100V , 0.075A , 0.85W , h21-50-200 , 150MHz никель
11500 
В наличии: 1 шт.
+
П602АИ используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
11500 
В наличии: 1 шт.
+
10800 
В наличии: 3 шт.
+
TO220
(B1-B2-40-200/Uкб-250в/Uкэ--200в/2A/25W/Iкбо-<=100мкА/P/)
9500 
В наличии: 23 шт.
+
9500 
В наличии: 32 шт.
+
9500 
В наличии: 1 шт.
+
9000 
В наличии: 10 шт.
+
Показать еще 20 товаров