Саратов

 
+7(8452) 320-330 +7(904) 241-14-25
0Корзина

Германиевые

Сортировать по:
От А до Я
20
Транзистор 1Т308А
Структура: p-n-p Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 90MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5mkA h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...75 (1V; 10mA) Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5V) Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400пс
7000 ₽
В наличии: 44 шт.
+ −
Транзистор 1Т311Д
Структура: n-p-n Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 600MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60...180 при 3В; 5мА Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
12500 ₽
В наличии: 88 шт.
+ −
Транзистор 1Т320Б
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, переключательные маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ сигнала.
6000 ₽
В наличии: 3 шт.
+ −
Транзистор 2Т708А (КТ708А)
49900 ₽
В наличии: 1 шт.
+ −
Транзистор ГТ321Е никель
8500 ₽
В наличии: 47 шт.
+ −
Транзистор ГТ403А (1Т403А)
5700 ₽
В наличии: 3 шт.
+ −
Транзистор ГТ403Б (1Т403Б)
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Импортный аналог: 2NU72, 3NU72, 4NU72, ADP665, ASY76, ASY80, AD152, AD164
8500 ₽
В наличии: 1 шт.
+ −
Транзистор ГТ403В (1Т403В)
5700 ₽
В наличии: 2 шт.
+ −
Транзистор ГТ403Д (1Т403Д)
5700 ₽
В наличии: 2 шт.
+ −
Транзистор ГТ403Е (1Т403Е)
5700 ₽
В наличии: 3 шт.
+ −
Транзистор ГТ403Ж (1Т403Ж)
5700 ₽
В наличии: 3 шт.
+ −
Транзистор ГТ404В
12500 ₽
В наличии: 3 шт.
+ −
Транзистор ГТ404Г
8900 ₽
В наличии: 28 шт.
+ −
Транзистор ГТ404Д 25V, 0.5mA, 0.6W Россия
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 0,5 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,6 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30.. 80 Обратный ток коллектора 25 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 1 МГц
12000 ₽
В наличии: 1 шт.
+ −
Транзистор ГТ701А Uк =55V /Uэ =15V 12A 50W p-n-p канальный
39500 ₽
В наличии: 2 шт.
+ −
Транзистор ГТ806А
Транзисторы ГТ806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Структура: p-n-p Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30W fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10MHz Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15А h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100 Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04Ом
24500 ₽
В наличии: 12 шт.
+ −
Транзистор МП21 никель 150mW; Ucb: 70V; Uce: 35V; Ueb: 50V; Ic: 300mA; Tj: 85°C; Ft: 1.0MHz; Cc: -; Hfe: 20/60 P-N-P
2900 ₽
В наличии: 19 шт.
+ −
Транзистор МП21Б никель 150mW; Ucb: 70V; Uce: 40V; Ueb: 50V; Ic: 300mA; Tj: 85°C; Ft: 0.5MHz; Cc: -; Hfe: 20/80 P-N-P
4500 ₽
В наличии: 25 шт.
+ −
Транзистор МП25 150mW; Ucb: 40V; Uce: -; Ueb: 40V; Ic: 300mA; Tj: 75°C; Ft: 200KHz; Cc: -; Hfe: 13/25 P-N-P
2500 ₽
В наличии: 40 шт.
+ −
Транзистор МП25А 150mW; Ucb: 40V; Uce: -; Ueb: 40V; Ic: 400mA; Tj: 75°C; Ft: 200KHz; Cc: -; Hfe: 20/40 P-N-P
Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6
3500 ₽
В наличии: 95 шт.
+ −
Показать еще 20 товаров