Описание
Типы компонентов: транзисторы (PNP, NPN, MOSFET, JFET), диоды и сдвоенные диоды, резисторы, конденсаторы, индуктивности, тиристоры, триаки (симисторы), стабилитроны, чип-резисторы
Типы корпусов: SOT23, TO252, SO8, TOxxx, DIP, 0603, 0805, 1206
Сопротивление: 0,01 Ом … 50 МОм
Ёмкость: 1 пФ ... 100 мФ
ESR (эквивалентное последовательное сопротивление) 2пф-50мФ
Индуктивность: 0,01 мГн … 20 Гн
Автоматическое определение типов: биполярных транзисторов NPN и PNP, полевых МОП-транзисторов с N- и P-каналом, полевых транзисторов JFET, диодов, двойных диодов, тиристоров и триаков.
Измерение коэффициента усиления биполярных транзисторов (hFE)
Измерение порогового напряжения база-эмиттер биполярных транзисторов
Обнаружение защитного диода биполярных транзисторов и полевых МОП-транзисторов
Измерение порогового напряжения затвора и значения емкости затвора MOSFET транзисторов
Время измерения: от 2сек
Гнездо поддерживает различные типы корпусов деталей
Таблица качества
Типы корпусов: SOT23, TO252, SO8, TOxxx, DIP, 0603, 0805, 1206
Сопротивление: 0,01 Ом … 50 МОм
Ёмкость: 1 пФ ... 100 мФ
ESR (эквивалентное последовательное сопротивление) 2пф-50мФ
Индуктивность: 0,01 мГн … 20 Гн
Автоматическое определение типов: биполярных транзисторов NPN и PNP, полевых МОП-транзисторов с N- и P-каналом, полевых транзисторов JFET, диодов, двойных диодов, тиристоров и триаков.
Измерение коэффициента усиления биполярных транзисторов (hFE)
Измерение порогового напряжения база-эмиттер биполярных транзисторов
Обнаружение защитного диода биполярных транзисторов и полевых МОП-транзисторов
Измерение порогового напряжения затвора и значения емкости затвора MOSFET транзисторов
Время измерения: от 2сек
Гнездо поддерживает различные типы корпусов деталей
Таблица качества