34900 
Нет в наличии
71600 
Нет в наличии
18500 
Нет в наличии
50W; Ucb: 120V; Uce: -; Ueb: 4V; Ic: 10A; Tj: 150°C; Ft: 7.2MHz; Cc: 500; Hfe: 10/50 N-P-N (2N4913/2N4914/2N4915/2N5427/2N5429/2SC1113/2SC1618/2SC1619/2SD201/2SD202/2SD203) 
71600 
Нет в наличии
14500 
Нет в наличии
(MJ2501/КТ825Г/2N6287) Uкб-100v/ Uкэ-100V / Iкм-20A/ Iк imp-40А/ h21е-500-18000 / Darl / Pk-160W/ P-N-P
39500 
Нет в наличии
Uкэ-80v/ Iкм-20A/ Iк imp-40/ h21-750-18000 / Darl /Pk-125w/ P-N-P
39500 
Нет в наличии
Uкб-60v/ Uкэ-60v/ Iкм-20A/ Iк imp-40/ h21-750-18000 / Darl /Pk-160w/ P-N-P
39000 
Нет в наличии
Транзисторы КТ117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах, преобразователях. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18)
12000 
Нет в наличии
9700 
Нет в наличии
50мA, 30В, 0,3W, 200кГц, h21-0.65-0.8 N-база Транзисторы КТ117Г кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах, преобразователях. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18)
12000 
Нет в наличии
SMD
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80…250 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.075 Корпус кт-46(sot-23) Вес, г 0.05
2900 
Нет в наличии
2200 
Нет в наличии
Показать еще 20 товаров