Описание
- Изготовлен с применением силовых нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов
- Способен вырабатывать большую выходную мощность
- Может использоваться для питания мощных устройств, в том числе паяльников и другого паяльного оборудования
- напряжение на выходе и поддерживаемые протоколы:
Смартфоны: 5V 2.4A
DC1.2: DCP 5V 1.5A
SAMSUNG AFC: 9V, 12V
HUAWEI FCP: 5V, 9V, 12V
SCP: 3.3-10V, 2A, 23W
QC2.0: 5V, 9V, 12V
QC3.0: 5...20V, 30 W
PE+1.1
PE+2.0
PD3.0, 65W
- Способен вырабатывать большую выходную мощность
- Может использоваться для питания мощных устройств, в том числе паяльников и другого паяльного оборудования
- напряжение на выходе и поддерживаемые протоколы:
Смартфоны: 5V 2.4A
DC1.2: DCP 5V 1.5A
SAMSUNG AFC: 9V, 12V
HUAWEI FCP: 5V, 9V, 12V
SCP: 3.3-10V, 2A, 23W
QC2.0: 5V, 9V, 12V
QC3.0: 5...20V, 30 W
PE+1.1
PE+2.0
PD3.0, 65W