Транзисторы имп. N-IGBT

320W , VCE-1.7V , gfs-32S , tr-32ns ,tf-63ns /N/+diode (trr-153ns) сварочный аппар.
1 13700 
В наличии: 1 шт.
+
600V, 121A , 520W , VCE-2V , VGE-3-6V , in-5230pf , tr-27ns , tf-88ns /N/
1 02400 
В наличии: 1 шт.
+
L, 8..40kHz, 350W, tr-94ns tf-110ns,gfe-70S VCE=1.67V/ N+diode (trr-82ns)
85900 
В наличии: 12 шт.
+
81600 
В наличии: 5 шт.
+
1200V, L, 8..40kHz, 350W, tr-70ns tf-360ns,gfe-72S VCE=2.5V/Vge-3v-6v ,in-7280pf
69500 
В наличии: 4 шт.
+
TO247-3
Vce (sat) -1.65v /=IHW40N60RF-Vce (sat) -1.85v) 305W / N-IGBT+diode
66800 
В наличии: 1 шт.
+
TO247
200W, tr-29ns ,tf-425ns ,gfe-40S VCE=1.47V/N/
66700 
В наличии: 6 шт.
+
66700 
В наличии: 2 шт.
+
63600 
В наличии: 5 шт.
+
63500 
В наличии: 5 шт.
+
59600 
В наличии: 2 шт.
+
328W , Vce-1.75V , Vge-4-8V , 36ns , 95ns , in-4890pf N-IGBT+diode (trr-140ns)
59100 
В наличии: 8 шт.
+
59100 
В наличии: 5 шт.
+
59100 
В наличии: 5 шт.
+
250W, VGE(off) -3.5v-7v, tr-78ns tf-208ns, VCE=1.6V, in-3260pf /N-FEET+diode
57200 
В наличии: 1 шт.
+
55200 
В наличии: 4 шт.
+
53700 
В наличии: 1 шт.
+
49700 
В наличии: 1 шт.
+
(PDP TRENCH IGBT -шестого поколения) 206W, /N/
49700 
В наличии: 2 шт.
+
Изолированный биполярный транзистор с ультрабыстрым восстановительным диодом
49700 
В наличии: 1 шт.
+
>5kHz,595W, tr-32,4ns tf-45ns gfe-34,4S VCE=2.50V/N-/+diode/ (trr-180ns)
49500 
В наличии: 10 шт.
+
600V, >150kHz, 390W, tr-10ns ,tf-11ns , gfe-41S , VCE=2.45V /N+diode (trr-42ns)
49500 
В наличии: 2 шт.
+
1350V, 330W, VceSat -0.65V, Vge- 5.1-6.4v, Gfs-23S, in-1810pf, tf-120ns /N-IGBT+diode
49500 
В наличии: 5 шт.
+
49000 
В наличии: 6 шт.
+
312W / VCEsat 1.8V, VF- 1.65V, VGE(th) 5.1-6.4v, gfs-22S, in-2470pf, 38ns, N-IGBT+diode
49000 
В наличии: 33 шт.
+
47600 
В наличии: 4 шт.
+
47600 
В наличии: 2 шт.
+
47600 
В наличии: 4 шт.
+
160W, Vge+-20V , tr-37ns , tf-230ns, gfe-12S , VCE-2.6V /N+diode (trr-42ns) (шестое поколение (NPT Trench)
46700 
В наличии: 1 шт.
+
46300 
В наличии: 2 шт.
+
360V, 50W ,vge-2.5-5V,Vce-1.7V , in-1160pf , tr-100ns , tf-150ns /N/
44600 
В наличии: 2 шт.
+
44500 
В наличии: 1 шт.
+
TO-3P
Power MOSFET, N-Channel, 60V, 210A,
44100 
В наличии: 2 шт.
+
328W , Vce-1.35V , Vge-4-8V , 81ns , 74ns , in-4700pf N-IGBT+diode (trr-90ns)
44100 
В наличии: 9 шт.
+
42200 
В наличии: 2 шт.
+
(без диода) >5kHz,300W, tr-20ns tf-24ns gfe-15,7S VCE=4,23V/N/
41000 
В наличии: 10 шт.
+
313W ,tr-40ns tf-30ns ,gfs-20S VCE=3.1V/N/ (шестое поколение (NPT Trench)
39900 
В наличии: 1 шт.
+
1200V , >5kHz,300W, tr-25ns tf-60ns gfe-16,9S VCE=3,43V/N-/+diode (trr-300ns)
39700 
В наличии: 1 шт.
+
39700 
В наличии: 1 шт.
+
250W, tr-30ns tf-50ns, VCE=1.9V, VGE-3.75-5.75v ,in-2900pf /N/+diode (trr-90ns)
39700 
В наличии: 3 шт.
+
TO247
1200V , 483W, VCEsat-2.05V, VGE -5-6.5V, Gfs-20S, in-2330pf, tr-57ns , tf-16ns, +diode(trr-355ns) /N/
39500 
В наличии: 5 шт.
+
600V, 236W при 25*С/94W при 100*С, +Diode(trr-60ns)
39500 
В наличии: 16 шт.
+
39500 
В наличии: 4 шт.
+
357W при 25*С/143W при 100*С, TRINNO Technology
39500 
В наличии: 2 шт.
+
39500 
В наличии: 3 шт.
+
1200V, 357W, VCE(sat)-1,55V, VF-1.2V, VGE(th)-5.1-6.4v, gfs-11.5S, in-1307pf, tr-25ns, tf-68ns /N-+diode/ Reverse Conducting
39500 
В наличии: 1 шт.
+
(с диодом) >5kHz,300W, tr-20ns tf-24ns gfe-15,7S VCE=4,23V/N-/+diode/
39500 
В наличии: 10 шт.
+
1200V, 349W, VC E(sat)-1.7V, VF-1.65V, VG E(th) -5.2-6.4V,Gfs-13.5S, Integrated gate resistor -8 Om, in-1600pf, tr-20ns, tf-95ns, IGBT+diode(trr-195ns) DuoPack с низкими потерями: IGBT в TrenchStop 2-го поколения
39500 
В наличии: 21 шт.
+
Показать еще 64 товара