Транзисторы имп. N-IGBT

1200V, 62.5W, VCE(sat)-2.2V, VF-2.0V, VGE(th) -2.1-3.9V,Gfs-2S, in-205pf, tr-5.2ns, tf-29ns, IGBT+diode(trr-42ns) Назначение :- SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter
29500 
В наличии: 7 шт.
+
25W, tr-8,5ns tf-60ns gfs-4,30S VCE=2.2V/N-FEET+diode (trr-37ns)
27000 
В наличии: 2 шт.
+
25W, tr-8.5ns tf-75ns gfs-3S VCE=2.5V/N-FEET+diode (trr-37ns)
25400 
В наличии: 4 шт.
+
23600 
В наличии: 11 шт.
+
15800 
В наличии: 2 шт.
+
19500 
В наличии: 10 шт.
+
16500 
В наличии: 13 шт.
+
27600 
В наличии: 2 шт.
+
60W, tr-6ns tf-82ns gfe-15S VCE=2.2V/N-FEET+diode (trr-35ns) стир. машина Samsung
28500 
В наличии: 6 шт.
+
35600 
В наличии: 2 шт.
+
125W, tf-6ns ,tr-6ns ,gfs-18S ,in-1300пф ,VCE-1.03V ,VGE 1.5-2.1V /N+zener (4шт) +резисторы 2шт (RG-70 Om + RGE-14,25K-25K) Обратная утечка коллектор-эмиттер 175°C 1-25ma / (В Авто с зажиган. с непоср. вспрыском/Катушка зажиган) (Автоэлектроника)
22500 
В наличии: 103 шт.
+
125W, tf-6ns ,tr-6ns ,gfs-18S ,in-1300пф ,VCE-1.03V ,VGE 1.5-2.1V /N+zener (4шт) +резисторы 2шт (RG-70 Om + RGE-14,25K-25K) Обратная утечка коллектор-эмиттер 175°C 1-10ma (В Авто с зажиган. с непоср. вспрыском/Катушка зажиган) (Автоэлектроника)
19500 
В наличии: 1 шт.
+
D2PAK/TO263
600V, 100W, tr-16ns tf-67ns gfe-16S VCE=2.45V/N/
21800 
В наличии: 8 шт.
+
600V, 100W, Vge+-20V , tr-15ns , tf-93ns, gfe-8,6S , VCE-2.2V /N/
35200 
В наличии: 1 шт.
+
Изолированный биполярный транзистор с ультрабыстрым восстановительным диодом
49700 
В наличии: 1 шт.
+
42200 
В наличии: 2 шт.
+
TO3PN
1200V, 186W, VGE(th) 4.5-8.5v, VCE(sat) 1.9v, in-2650pf, tr-20ns, +Diode(trr-210ns) /N/
28500 
В наличии: 3 шт.
+
TO220F
40W , VCE-1.9V , VGE-15V , 170ns /N/ ( 6-го поколения PDP TV и МОНИТОРЫ , плазменные панели)
22300 
В наличии: 6 шт.
+
23600 
В наличии: 3 шт.
+
38500 
В наличии: 2 шт.
+
1200V, 200W, VGE -4-7v , VCE -2.25V ,tr-30ns ,tf-100ns ,in-1900pf , N-IGBT+diode(trr-230ns)
31800 
В наличии: 2 шт.
+
31800 
В наличии: 5 шт.
+
17400 
В наличии: 2 шт.
+
15800 
В наличии: 2 шт.
+
17400 
В наличии: 2 шт.
+
46300 
В наличии: 2 шт.
+
TO220FL
30A, 630V, 60W, /N/
21600 
В наличии: 4 шт.
+
19800 
В наличии: 3 шт.
+
360V, 25W для использования в PDP и электропитании
23600 
В наличии: 2 шт.
+
23600 
В наличии: 2 шт.
+
360V, 50W ,vge-2.5-5V,Vce-1.7V , in-1160pf , tr-100ns , tf-150ns /N/
44600 
В наличии: 2 шт.
+
360V, 60W, VCE-1.4V , Vge-2.5-5V ,tr-100ns , tf-180ns , in-1200pf /N/
14500 
В наличии: 11 шт.
+
14500 
В наличии: 2 шт.
+
13400 
В наличии: 5 шт.
+
(PDP TRENCH IGBT -шестого поколения) 206W, /N/
49700 
В наличии: 2 шт.
+
1200V, 357W, VCE(sat)-1,55V, VF-1.2V, VGE(th)-5.1-6.4v, gfs-11.5S, in-1307pf, tr-25ns, tf-68ns /N-+diode/ Reverse Conducting
39500 
В наличии: 1 шт.
+
(без диода) >5kHz,300W, tr-20ns tf-24ns gfe-15,7S VCE=4,23V/N/
41000 
В наличии: 10 шт.
+
160W, Vge+-20V , tr-37ns , tf-230ns, gfe-12S , VCE-2.6V /N+diode (trr-42ns) (шестое поколение (NPT Trench)
46700 
В наличии: 1 шт.
+
39700 
В наличии: 1 шт.
+
312W, 1200V, VGE(th)-3.5-7.5v, VCE(sat)-1.6V, in-3700pf, tr-60ns, tf-100ns, N+diode(trr-235ns)
39000 
В наличии: 10 шт.
+
39500 
В наличии: 4 шт.
+
47600 
В наличии: 4 шт.
+
1800V, 375W, tr-400ns tf-150ns, VCE=2.9V, VGE-4.5-7.5v ,in-4500pf /N/+diode (trr-1000ns) используется также В инвертерной печи СВЧ,
18500 
В наличии: 25 шт.
+
1200V, 330W, VCE(sat)-1,55V, VF-1.45V, VGE(th)-5.1-6.4v, gfs-14.5S, in-1887pf, tf-53ns /N-+diode/ Reverse Conducting
39500 
В наличии: 2 шт.
+
1200V 310W , VCE=1.48V ,gfs-18.3S , VF-1.55V , Vge-5.1-6.4V , tf-25ns , in-1503pf / N+diode/ электророзжиг
29500 
В наличии: 8 шт.
+
53700 
В наличии: 1 шт.
+
39500 
В наличии: 7 шт.
+
1350V, 288W,VGE(th)=5.1-6.4V,Vce-1.65V / N-IGBT+diode Индукционная плита и т.д.
28500 
В наличии: 5 шт.
+
35600 
В наличии: 5 шт.
+
28500 
В наличии: 3 шт.
+
15800 
В наличии: 2 шт.
+
TO220FL
30W, 630V, /N/ формов. выводы/ High Speed Power Switching
33600 
В наличии: 1 шт.
+
39000 
В наличии: 10 шт.
+
66700 
В наличии: 2 шт.
+
200 45A , 1200VW, tr-24ns tf-180ns, gfe-35S, VGE-3-6v, VCE=2.56V, in3600pf, /N/+diode(trr-90ns) UltraFast: оптимизирован для высокой производительности частоты до 40 кГц при жестком переключении, > 200 кГц в резонансном режиме Преимущества • Более высокая частота коммутации, чем конкурентоспособные IGBT • Высочайшая доступная эффективность • HEXFRED-диоды, оптимизированные для работы с БТИЗ. Минимальные характеристики восстановления
39500 
В наличии: 4 шт.
+
313W ,tr-40ns tf-30ns ,gfs-20S VCE=3.1V/N/ (шестое поколение (NPT Trench)
39900 
В наличии: 1 шт.
+
39500 
В наличии: 3 шт.
+
VGE(th) 4-7v, VCE(sat) 2.25V, 50ns, 100ns, in-3100pf N-FET+Diode(trr-230ns)
39500 
В наличии: 1 шт.
+
31800 
В наличии: 2 шт.
+
38000 
В наличии: 9 шт.
+
1200V, 428W, Vge-4.9-7.5v, Vce-1.8V, in-2800pf IGBT+Diode(trr-325ns) TO247 Field Stop, Trench
36500 
В наличии: 7 шт.
+
600V 230W , 0.16 Om ,Vge-4.5-7.5v , tri-180ns , ti-50ns ,VCE=1.55V , in-2700pf /N+diode (trr-350ns)
23500 
В наличии: 39 шт.
+
Показать еще 64 товара