Транзисторы имп. полевые N-FET

5900 
В наличии: 2 шт.
+
(IRF520N=9.7A/IRF540N=33A) 100V, 17A, 70W, 0.09 Om , tr-22ns /N-FET+Diode(trr-93ns)
6000 
В наличии: 33 шт.
+
TO220
40V, 162A, 333W / N-FET+diode
6300 
В наличии: 29 шт.
+
7200 
В наличии: 1 шт.
+
55V, 169A, 330W, 0.0046 Om , gfs-69S , Vgs-2-4V ,tr-190ns , tf-110ns ,in-5480pf / N-FET+diode(trr-88ns)
7500 
В наличии: 9 шт.
+
55V/20V, 110A, 200W, 0.034 Om ,gfs-44S , tr-101ns , tf-165ns /N-FET+diode (trr-69ns)
7500 
В наличии: 57 шт.
+
(SSS4N60B/MDF4N60B/STP3NK60ZFP/STP4NK60ZFP) orig (IRFBC30) 600V, 2,6A, 36W , 2.2Ohm / N-FET+diode /
8500 
В наличии: 44 шт.
+
8500 
В наличии: 44 шт.
+
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET TO-92 для обеспечения превосходного RDS(ON) с низким зарядом затвора. Общие характеристики: VDS = 100V, ID = 6A, RDS(ON) < 140mOM. Используется в самых различных устройствах и областях применения: высокочастотные цепи переключения, источники бесперебойного питания, сварочные инверторы.
8700 
В наличии: 23 шт.
+
8800 
В наличии: 9 шт.
+
8800 
В наличии: 4 шт.
+
8800 
В наличии: 1 шт.
+
9000 
В наличии: 16 шт.
+
9000 
В наличии: 10 шт.
+
DIP4
100V, 1A, 1,3W, <0,54к (0,6A) /N-FET-e /+diode
9200 
В наличии: 6 шт.
+
9200 
В наличии: 10 шт.
+
9300 
В наличии: 5 шт.
+
NF, ra, 50V, Idss>0,6mA, Up<1,5V / N-FET /
9300 
В наличии: 30 шт.
+
/450V, 5A, 50W, <1,83к, 50/120ns / N-FET-e
9300 
В наличии: 1 шт.
+
9300 
В наличии: 3 шт.
+
(аналог UTC6N40, FQP6N40, и др.) 400V, 6A
9500 
В наличии: 1 шт.
+
(SiHF840/FQP10N60C/FQP9N50/КП770А) 500V, 8A, 125W, 0,85 Om , vgs-2-4V , gfs-4.9S , tr-23ns , tf-20ns , in-1300pf / N-FET+diode (460ns) TO220
9500 
В наличии: 17 шт.
+
(STP6NA60F) 600V, 5,5A, 40W, <2 Om , tr-45ns / N-FET+diode(310ns)
9500 
В наличии: 6 шт.
+
9500 
В наличии: 20 шт.
+
9500 
В наличии: 10 шт.
+
TO220AB
200V, 18A, 150W, 0.102 Om , gfs-6.8S , tr-19ns/ N-FET+diod (trr-251ns)
9800 
В наличии: 103 шт.
+
9800 
В наличии: 2 шт.
+
Показать еще 32 товара