Электронные компоненты

700 
Нет в наличии
500 
Нет в наличии
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80…250 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.075 Корпус кт-46(sot-23) Вес, г 0.05
2900 
Нет в наличии
1500 
Нет в наличии
2200 
Нет в наличии
4100 
Нет в наличии
700 
Нет в наличии
4800 
Нет в наличии
3300 
Нет в наличии
13700 
Нет в наличии
1400 
Нет в наличии
15600 
Нет в наличии
5300 
Нет в наличии
4800 
Нет в наличии
(2N4913/2N4914/2N4915/2N5427/2N5429/2SC1113/2SC1618/2SC1619/2SD201/2SD202/2SD203) Pc: 50W; Ucb: 120V; Uce: -; Ueb: 4V; Ic: 10A; Tj: 150°C; Ft: 7.2MHz; Cc: 500; Hfe: 10/50 N-P-N
49500 
Нет в наличии
5100 
Нет в наличии
29500 
Нет в наличии
Uкэ-90v/ Iк-20A/ Iкimp-30A/ 750-18000 / Darl /125W (2Т825А/BDX62A/BDX62B/BDX64A/BDX64B/BDX66A/BDX66B/BDX86B/BDX86C/BDX88B/BDX88C/MJ2501MJ4031/MJ4032/2N6051/2N6052/2N6286/2N6287/T1829-1) P-N-P
49000 
Нет в наличии
/750-18000/Uкб-60v/Uкэ-60v/20A/Iкм-40/Pт-125w (BDX85/BDX85A/BDX87/BDX87A/MJ3000/MJ3520/MJ4033/2N6057/2N6282) N-P-N
33600 
Нет в наличии
8700 
Нет в наличии
3500 
Нет в наличии
1500 
Нет в наличии
1500 
Нет в наличии
2600 
Нет в наличии
4800 
Нет в наличии
допустимое напряжение коллектор-эмиттер 25 V Макс. допустимый постоянный ток коллектора 0,5 A Максимальная мощность рассеивания 0,6 W Максимальный обратный ток, Iобр 20 µA Статический коэффициент передачи тока 60-150 Транзистор ГТ402Б биполярный, германиевый, сплавной p-n-p усилительные низкочастотный маломощный. Импортный аналог: AC132
12000 
Нет в наличии
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
3300 
Нет в наличии
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
8400 
Нет в наличии
Транзистор ГТ905А германиевый диффузионно-сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
10800 
Нет в наличии
150V , 1A , h21-40-120 , 0.8W , 50MHz золото NPN КТ-2-7 (ТО39)
19500 
Нет в наличии
3600 
Нет в наличии
3300 
Нет в наличии
2900 
Нет в наличии
3600 
Нет в наличии
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
10W; Ucb: 80V; Uce: -; Ueb: 15V; Ic: 5A; Tj: 75°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 20/150 P-N-P
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
8900 
Нет в наличии
8900 
Нет в наличии
2900 
Нет в наличии
60V, 0,4W, <5к, <20/20ns / N-FET+diode
3500 
Нет в наличии
30V, рассеив-3.6W , вых-1.4W , 20MHz / N-FET+zener (2шт) RF POWER MOSFET
27600 
Нет в наличии
900V, 2.5A, 40W, 5.6k /N-FET+zener-2шт+diode
18900 
Нет в наличии
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
28500 
Нет в наличии
800V, 4,3A, 110W, <2,4к +zener (2шт) +diode /N-FET-e
12900 
Нет в наличии
18900 
Нет в наличии
(STP4N80FP/SSS4N80FP/KHB4N80FP) (2SK2647/4N90C=900V) 800V, 4A, 40W, <3.6к , tr-13ns/ N-FET+diode (trr-557ns)
13400 
Нет в наличии
100V, 4A, 43W, <1,2к (2,4A) /P-FET-e/
14400 
Нет в наличии
400V, 5,5A , 74W, 1 Om , tr-15ns /N-FET+zener (trr-270ns)
8400 
Нет в наличии
S-Reg, 600V, 6A, 45W , 0.95 Om, tr-25ns / N-FET+diode (trr-450ns)
16800 
Нет в наличии
600V, с6A, 35W, <1,1к (3A) / N-FET+diode
18900 
Нет в наличии
25600 
Нет в наличии
21200 
Нет в наличии
13400 
Нет в наличии
59500 
Нет в наличии
800/35V , 7A , 60W , 1.62 Om , tr-90ns ,tf-50ns / N-FET+diode (trr-900ns) (enhancement mode power)
21600 
Нет в наличии
(FQPF7N60, 7N60) - Power MOSFET, N-Channel, 600V, 7A,
15000 
Нет в наличии
(SiHF840/FQP10N60C/FQP9N50/КП770А) 500V, 8A, 125W, 0,85 Om , vgs-2-4V , gfs-3.7S , tr-23ns , tf-19ns , in-1018pf / N-FET+diode (422ns)
19800 
Нет в наличии
N-канал, Id=8А, Vdss=600В, Vgs(th)=2…4В, Rds(on)=580 мОм
21200 
Нет в наличии
650V, 8A, 45W, tr-22ns, tf-15ns, trr-1300ns, N-FET+diod
17700 
Нет в наличии
14500 
Нет в наличии
900V , 9A , 280W , 1.4 Om, tr-120ns, tf-75ns /N-FET+diode(trr-550ns)
28400 
Нет в наличии
350V, 1,5A, 20W, <3,6Om, Vgs-2-4v, in-200pf, 20ns / N-FEET+diode(trr-380ns)
6700 
Нет в наличии
600V, 10A, 50W, <1к (4,5A) / N-FET+diode
23600 
Нет в наличии
18200 
Нет в наличии
N-Canal Complementary Power Transistors, 10A, 60V
15800 
Нет в наличии
600V, 11A, 125W, 0,38k,Vgs-3v-5v, 0.32 Om, tr-98ns /N-FET+diode (trr-390ns)
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
800V , 11A , 41W , 0.39 Om , gfs-7,5S , tr-15ns , tf-7ns , Vgs-2.1-3.9V , in-1600pf /N-FET+diode (trr-550ns)
19700 
Нет в наличии
600V, 12A, 150W, <0,5 Om .tr-45ns / N-FET+zener-2шт+diode (460ns)
38100 
Нет в наличии
19800 
Нет в наличии
Показать еще 128 товаров