Электронные компоненты

25V, 0.625W, VGS(off)-1-4v, 60ma, /N-FET RF Amplifier Этот транзистор предназначено для усилителя, генератора и микшера УКВ/УВЧ. Применение В качестве усилителя с общим затвором 16 дБ на частоте 100 МГц и Можно реализовать 12 дБ на частоте 450 МГц.
18500 
В наличии: 8 шт.
+
23000 
В наличии: 2 шт.
+
29500 
В наличии: 3 шт.
+
35V/25V , 55A , 0.018 Om ,57W , gfs-35S , tr-10ns , tf-36ns /P-FET+diode (trr-28ns)
14000 
В наличии: 5 шт.
+
100V, 57A, 200W, 0.023 Om , gfs-32S , tr-58ns , tf-47ns / N-FET+diod (trr-140ns)
11600 
В наличии: 10 шт.
+
35500 
В наличии: 2 шт.
+
80V, 90A, 0.016 Om, 214W, tr-360ns /N-FET+diode (87ns)
26900 
В наличии: 2 шт.
+
Dual 30V , 8A , 0.018 Om , gfs-16S , tr-7ns , tf-12ns /PP-FET+ (diode (trr-32ns)
9500 
В наличии: 3 шт.
+
SOIC8
Широкий входной диапазон: от 9 В до 27 В Регулируемая настройка частоты переключения Текущий режим управления Опорный сигнал измерения тока 300 мВ Защита от сверхтока Защита от перегрева Защита от перенапряжения на выходе Защита от перенапряжения на входе ШИМ-регулировка яркости ПРИЛОЖЕНИЯ Фронтальный каскад светодиодной подсветки Светодиодное освещение
14000 
В наличии: 2 шт.
+
Power MOSFET, N-Channel, 40V, 70A
11000 
В наличии: 10 шт.
+
11500 
В наличии: 9 шт.
+
11000 
В наличии: 8 шт.
+
100V , 11A , 45W , gfs-17S , tr-3ns , tf-4,5ns /N-FET+diode (trr-21ns)
10500 
В наличии: 8 шт.
+
12000 
В наличии: 10 шт.
+
12000 
В наличии: 7 шт.
+
150V, 33A, 0.09 Om, 227W /N-FET+diod
66800 
В наличии: 5 шт.
+
60V, 9.4A, 38W, 0.185k / P-FET +diode) Используется в инверторах LCD мониторов Benq, Hewlett-Packard
18000 
В наличии: 7 шт.
+
24500 
В наличии: 4 шт.
+
23200 
В наличии: 3 шт.
+
0.0118 Om, 110W, VGS(th)-2-4v, gfs-30S , tr-130ns , tf-78ns, in-2430pf /N-FET+diode(trr-62ns)
9100 
В наличии: 8 шт.
+
55V, 11A, 38W, <175mк , tr-55ns/ P-FET+zener (trr-47ns)
6500 
В наличии: 21 шт.
+
30V , 1.2A , 0.25 Om , tr-4ns / N-FET+diode (trr26ns)
4400 
В наличии: 43 шт.
+
30V , 0.76A , 0.6 Om , tr-8.2ns /P-FET+diode (trr-26ns)
3900 
В наличии: 13 шт.
+
20V , 3.7A , 0.05 Om , gfs-6S ,633pf , tr-48ns , tf-381ns /P-FET+diode (trr-29ns)
3900 
В наличии: 12 шт.
+
11600 
В наличии: 2 шт.
+
N-40V , 0.028 Om , 15A/P-40V , 0.042 Om , 12A , 11W , tr-20ns +zener-2шт+diode-1шт (trr-20ns)
11100 
В наличии: 20 шт.
+
30V , N-7A , 2W, P-6A , gfs-14/9.6S , tr-11/23ns , tf-4/48ns +diode
14400 
В наличии: 3 шт.
+
9800 
В наличии: 19 шт.
+
17000 
В наличии: 1 шт.
+
N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A < 28mΩ RDS(ON)
11500 
В наличии: 12 шт.
+
12000 
В наличии: 3 шт.
+
DUAL , 35V , N-15A , 0.03 Om/35V , P-12A , 0.048 Om , 11W , tr-7ns +diode (trr-18ns) NP-FET
11200 
В наличии: 53 шт.
+
15500 
В наличии: 8 шт.
+
21000 
В наличии: 10 шт.
+
60V, 20A, 31.3W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
9700 
В наличии: 9 шт.
+
- Power Mosfet N-channel, 60V, 20A, TO-252-2L
8600 
В наличии: 1 шт.
+
24500 
В наличии: 6 шт.
+
12000 
В наличии: 10 шт.
+
100V, 26A, 50W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
8500 
В наличии: 9 шт.
+
100V, 33A, 54W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
9700 
В наличии: 9 шт.
+
40V, 35A, 50W, 0.0124Om ,gfs-60S,Vgs-1.7-2.7v, in-980pf, tr-12ns , tf-7ns /N-FET+diode (trr-12ns)
17000 
В наличии: 1 шт.
+
60V , 35A , 80W , 0.014 Om , gfs-28S,VGS-1v, tr-100ns, tf-20ns, in-1700pf /N-FET+diode (trr-80ns)
15800 
В наличии: 1 шт.
+
Power Mosfet N-channel+Diode, 60V, 50A, 136W
9500 
В наличии: 3 шт.
+
11500 
В наличии: 4 шт.
+
Power Mosfet N-channel+Diode, 60V, 58A, 85W TO-252-2L
12000 
В наличии: 10 шт.
+
Power Mosfet N-channel, 60V, 60A, 85W TO-252-2L
11500 
В наличии: 10 шт.
+
12000 
В наличии: 8 шт.
+
60V, 72A, 34.7W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
11000 
В наличии: 10 шт.
+
11000 
В наличии: 8 шт.
+
14500 
В наличии: 10 шт.
+
70V, 80A, 178W, TO-252-2L, 40V, N-Channel
12000 
В наличии: 10 шт.
+
12500 
В наличии: 8 шт.
+
12000 
В наличии: 10 шт.
+
11500 
В наличии: 6 шт.
+
60V, 50A, 110W, 0.015 Om /N-FET+diode (trr75ns)
11100 
В наличии: 23 шт.
+
15800 
В наличии: 1 шт.
+
600V , 7A , 0.95 Om , 125W ,vgs-3-4.5V ,tt-19ns ,tf-15ns, in-1110pf /N-FET+Zener(2шт)+diode(trr-480ns)
19500 
В наличии: 3 шт.
+
70W , 0.028 Om , Vgs-1V , gfs-23S , tr-122ns , tf-26ns /P-FET+diode (trr-40ns)
17000 
В наличии: 8 шт.
+
Транзисторы КП303Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты, частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12 (маркировка КП303Г, 3ГС6, 3ГС3)
12000 
В наличии: 8 шт.
+
Макс. напр. затвор-исток Uзи-: 27 В , Крутизна характеристики: 1... 5мА/В , 0,2W , КТ-1-12 сток-исток: 20 В, затвор-исток: 30 В, р-n переходом
8500 
В наличии: 4 шт.
+
с двумя изолированными затворами и каналом N-типа, (марк. 1-й белой каплей) с p-n переходом
6000 
В наличии: 7 шт.
+
с двумя изолированными затворами и каналом N-типа, (марк. 2-е белые капли) с p-n переходом
6000 
В наличии: 10 шт.
+
15V , 30ma , Макс. напр. затвор-исток Uзи-: 0,17…6 В , Крутизна характеристики: 6 мА/В , 0,2W , КТ-1-14 каналом n-типа и двумя изолированными затворами
22000 
В наличии: 5 шт.
+
9600 
В наличии: 2 шт.
+
8900 
В наличии: 2 шт.
+
52500 
В наличии: 12 шт.
+
28300 
В наличии: 5 шт.
+
3800 
В наличии: 6 шт.
+
49700 
В наличии: 2 шт.
+
Показать еще 128 товаров