Электронные компоненты

87600 
В наличии: 2 шт.
+
14900 
В наличии: 9 шт.
+
Reverse Blocking Thyristor, Sensitive Gate, 0.8A, 400V,
7300 
В наличии: 1 шт.
+
4900 
В наличии: 3 шт.
+
6800 
В наличии: 4 шт.
+
6100 
В наличии: 4 шт.
+
Тиристоры кремниевые КУ101Е, диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Используются для работы в аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе тиристора. Тип корпуса: КТЮ-3-4, масса не более 2,25 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК» Технические условия: - приемка «1» - ШП3.369.003ТУ. Импортный аналог: 2N2323. Основные технические параметры тиристора КУ101Е: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 150 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 150 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 1 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,075 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Постоянный обратный ток: не более 0,15 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 12 мА;
6500 
В наличии: 21 шт.
+
1900 
В наличии: 27 шт.
+
9500 
В наличии: 1 шт.
+
7500 
В наличии: 4 шт.
+
5200 
В наличии: 3 шт.
+
12000 
В наличии: 245 шт.
+
12000 
В наличии: 14 шт.
+
Триодный кремниевый n-p-n-p-n симметричный тиристор
9700 
В наличии: 4 шт.
+
67100 
В наличии: 1 шт.
+
1 53300 
В наличии: 1 шт.
+
33600 
В наличии: 8 шт.
+
12600 
В наличии: 1 шт.
+
9800 
В наличии: 3 шт.
+
14500 
В наличии: 1 шт.
+
TO-92
прецизионный источник опорного напряжения на 5 В (Reference Diode),
3600 
В наличии: 1 шт.
+
22700 
В наличии: 1 шт.
+
Структура: p-n-p Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 90MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5mkA h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...75 (1V; 10mA) Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5V) Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400пс
7000 
В наличии: 44 шт.
+
Структура: n-p-n Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 600MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60...180 при 3В; 5мА Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
12500 
В наличии: 88 шт.
+
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, переключательные маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ сигнала.
6000 
В наличии: 3 шт.
+
5700 
В наличии: 199 шт.
+
4100 
В наличии: 8 шт.
+
14600 
В наличии: 36 шт.
+
8400 
В наличии: 27 шт.
+
44600 
В наличии: 1 шт.
+
60V, 0,115A / N-FET (12w)
900 
В наличии: 470 шт.
+
12600 
В наличии: 5 шт.
+
SOT-23
General purpose NPN transistor, 50V, 0.15A,
1400 
В наличии: 3 шт.
+
25200 
В наличии: 6 шт.
+
8700 
В наличии: 2 шт.
+
125W, VGS(off) -1.5-2.5v, yfs-74S, RDS-0.0088 Om, in-1100pf, tr-18ms, N-FEET+diode(trr-85ns)
16800 
В наличии: 1 шт.
+
14000 
В наличии: 9 шт.
+
31400 
В наличии: 1 шт.
+
26000 
В наличии: 1 шт.
+
49900 
В наличии: 1 шт.
+
14000 
В наличии: 2 шт.
+
30V, 5.8A, 0.028 Om, gfs-15S, tr-4,8ns, tf-4,1ns /N-FET+diode
2500 
В наличии: 80 шт.
+
N-Channel MOSFET, 30V, 5.8A, 1.4W, SOT23-3/TO236
4500 
В наличии: 10 шт.
+
P-Channel MOSFET, 30V, 2.6A, 1.4W, SOT23-3/TO236
1800 
В наличии: 10 шт.
+
N-Channel MOSFET, 20V, 6A, 1.4W, SOT23-3/TO236
1800 
В наличии: 10 шт.
+
9200 
В наличии: 8 шт.
+
11600 
В наличии: 2 шт.
+
30V, 15A , 3W, 0,08 Om, gfs-50S, tr-16,5ns, tf-37,5ns /N-FET+diode(trr-36,7ns)
9700 
В наличии: 9 шт.
+
14000 
В наличии: 1 шт.
+
16900 
В наличии: 2 шт.
+
12000 
В наличии: 2 шт.
+
18200 
В наличии: 2 шт.
+
21200 
В наличии: 1 шт.
+
9200 
В наличии: 20 шт.
+
17300 
В наличии: 2 шт.
+
18300 
В наличии: 2 шт.
+
TO252/DPAK
40V , 32A , 27.8W , 0.02 Om , gfs-19S, tr-46ns , tf-6ns / N-FET+diode (trr-19ns)
13100 
В наличии: 3 шт.
+
15900 
В наличии: 2 шт.
+
14500 
В наличии: 1 шт.
+
30V, 27W, 20A, tr-9,4ns , tf-12ns /P-FET+diode(trr-14ns)
11600 
В наличии: 5 шт.
+
30V, 20W, 24A, tr-3,2ns , tf-6ns /N-FET+diode (trr-9ns)
10700 
В наличии: 10 шт.
+
14400 
В наличии: 4 шт.
+
19800 
В наличии: 1 шт.
+
21600 
В наличии: 1 шт.
+
SOT-89
14500 
В наличии: 2 шт.
+
19800 
В наличии: 4 шт.
+
TO-251
18300 
В наличии: 1 шт.
+
TO-220CFM
23600 
В наличии: 1 шт.
+
14500 
В наличии: 4 шт.
+
TO-252
11600 
В наличии: 4 шт.
+
13100 
В наличии: 3 шт.
+
15900 
В наличии: 7 шт.
+
9500 
В наличии: 17 шт.
+
17500 
В наличии: 1 шт.
+
12600 
В наличии: 4 шт.
+
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
9300 
В наличии: 1 шт.
+
11600 
В наличии: 1 шт.
+
35600 
В наличии: 1 шт.
+
57200 
В наличии: 1 шт.
+
Показать еще 128 товаров