Электронные компоненты

4800 
В наличии: 1 шт.
+
/750-18000/Uкэ-60v/Iкм-20A/Iкimp-30 / Darl /Pт-125w TO3-2 (BDX62/BDX64/BDX66/BDX88/BDX88A/MJ2500/MJ4030/2N6050/2N6285) P-N-P
39500 
В наличии: 5 шт.
+
/750-18000/Uкэ-30v/Iкм-20A/Iкimp-30 / Darl / Pт-125w/ P-N-P TO3-2
39500 
В наличии: 9 шт.
+
Транзисторы КТ826В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3)
18000 
В наличии: 1 шт.
+
/750-18000/Uкб-100v/Uкэ-100v/20A/Iкм-40/Pт-125w (MJ3001/BDX63/BDX65A/BDX67/BDX87C/MJ3521/MJ4035/2N6059/2N6284/2SD1672) N-P-N
59000 
В наличии: 5 шт.
+
/750-18000/Uкб-80v/Uкэ-80v/20A/Iкм-40/Pт-125w (BDX63/BDX65/BDX67/BDX85B/BDX87B/MJ3001/MJ4034/2N6058/2N6283) N-P-N
49500 
В наличии: 7 шт.
+
2900 
В наличии: 53 шт.
+
18700 
В наличии: 1 шт.
+
(B1-B2-40-200/Uкб-250в/Uкэ--200в/2A/25W/Iкбо-<=100мкА/P/)
9500 
В наличии: 23 шт.
+
5500 
В наличии: 1 шт.
+
5500 
В наличии: 18 шт.
+
6500 
В наличии: 4 шт.
+
3600 
В наличии: 3 шт.
+
11700 
В наличии: 1 шт.
+
3000 
В наличии: 10 шт.
+
23700 
В наличии: 1 шт.
+
4500 
В наличии: 121 шт.
+
B1-B2- 750/Uкб-60V/Uкэ-60V/Iкн-4A/Pт-8W , 20Мгц /N+Darl/
4500 
В наличии: 17 шт.
+
6500 
В наличии: 44 шт.
+
B1-B2=20- 125//Uкэ=80v/Iк=10A/Iбм=4A/Pт=70w /N-P-N/
Свяжитесь с нами насчёт цены
В наличии: 1 шт.
8500 
В наличии: 47 шт.
+
5500 
В наличии: 1 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Импортный аналог: 2NU72, 3NU72, 4NU72, ADP665, ASY76, ASY80, AD152, AD164
8500 
В наличии: 1 шт.
+
5700 
В наличии: 2 шт.
+
5700 
В наличии: 2 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
5700 
В наличии: 1 шт.
+
12500 
В наличии: 3 шт.
+
8900 
В наличии: 28 шт.
+
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 0,5 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,6 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30.. 80 Обратный ток коллектора 25 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 1 МГц
12000 
В наличии: 1 шт.
+
39500 
В наличии: 1 шт.
+
Транзисторы ГТ806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Структура: p-n-p Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30W fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10MHz Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15А h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100 Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04Ом
24500 
В наличии: 12 шт.
+
15600 
В наличии: 3 шт.
+
Транзисторы КТ3102Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
12000 
В наличии: 1 шт.
+
Транзистор NPN, высокочастотный, малой мощности, КТ-17
14500 
В наличии: 15 шт.
+
120V , 1A , h21-40-120 , 0.8W , 50MHz золото NPN КТ-2-7 (ТО39)
19500 
В наличии: 4 шт.
+
3300 
В наличии: 25 шт.
+
2900 
В наличии: 1 шт.
+
2900 
В наличии: 1 шт.
+
2900 
В наличии: 12 шт.
+
2900 
В наличии: 5 шт.
+
6000 
В наличии: 2 шт.
+
2900 
В наличии: 1 шт.
+
2900 
В наличии: 1 шт.
+
Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6
3500 
В наличии: 95 шт.
+
Транзисторы МП26А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Импортный аналог: GC112, MA909, MA910.
3500 
В наличии: 12 шт.
+
Транзисторы МП26Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6.
3500 
В наличии: 37 шт.
+
3600 
В наличии: 1 шт.
+
2900 
В наличии: 91 шт.
+
Транзисторы МП38 германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6
6500 
В наличии: 1 шт.
+
Транзисторы МП39 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6
4500 
В наличии: 26 шт.
+
Транзисторы МП39 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6
4500 
В наличии: 154 шт.
+
4500 
В наличии: 9 шт.
+
4500 
В наличии: 128 шт.
+
4500 
В наличии: 11 шт.
+
4500 
В наличии: 8 шт.
+
10W; Ucb: 60V; Uce: -; Ueb: 10V; Ic: 5A; Tj: 75°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 20MIN P-N-P
8500 
В наличии: 13 шт.
+
10W; Ucb: 60V; Uce: -; Ueb: 10V; Ic: 5A; Tj: 75°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 20MIN P-N-P
8500 
В наличии: 24 шт.
+
10W; Ucb: 80V; Uce: -; Ueb: 15V; Ic: 5A; Tj: 75°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 20/150 P-N-P,
8900 
В наличии: 69 шт.
+
8900 
В наличии: 60 шт.
+
9500 
В наличии: 1 шт.
+
5300 
В наличии: 86 шт.
+
2900 
В наличии: 430 шт.
+
2900 
В наличии: 4 шт.
+
0.1W; Ucb: 15V; Ueb: 3V; Ic: 25mA; Tj: -60…+70°C; h21-Э:90...200 P-N-P
3500 
В наличии: 40 шт.
+
4100 
В наличии: 3 шт.
+
П602АИ используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
11500 
В наличии: 1 шт.
+
П605 используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
6500 
В наличии: 17 шт.
+
7400 
В наличии: 81 шт.
+
100V, 1A, 1,3W, <0,54к (0,6A) /N-FET-e /+diode
9200 
В наличии: 6 шт.
+
(SSS4N60B/MDF4N60B/STP3NK60ZFP/STP4NK60ZFP) orig (IRFBC30) 600V, 2,6A, 36W , 2.2Ohm / N-FET+diode /
8500 
В наличии: 41 шт.
+
800V, 2.8A, 47W, 2.2 Om ,gfs--2.92S , tr-40ns /N-FET+diode (trr-470ns)
11600 
В наличии: 8 шт.
+
600V, 2A, 25W, <4,3к (1A) N-FET-e
23000 
В наличии: 22 шт.
+
8500 
В наличии: 44 шт.
+
900V , 3A , 40W , 3,7Om , Yfs-2,6s, tr-20ns, tf-35ns /N-FET+zener +diode (trr-850ns)
12900 
В наличии: 1 шт.
+
10800 
В наличии: 2 шт.
+
Показать еще 128 товаров