Электронные компоненты

55/20V , 31A , 0.0065 mOm , 69W , tr-66ns , tf-63ns , gfs-8S /P-FET+diode (trr-71ns)
12500 
В наличии: 107 шт.
+
55V, 11A, 38W, <175mк , tr-55ns/ P-FET+zener (trr-47ns)
6500 
В наличии: 21 шт.
+
Logic Level 20V, 4,2A , 0.045 Om , tr-10ns /N-FET+diode (trr-16ns) (1G) micro3/
1400 
В наличии: 61 шт.
+
30V , 1.2A , 0.25 Om , tr-4ns / N-FET+diode (trr26ns)
4400 
В наличии: 43 шт.
+
30V , 0.76A , 0.6 Om , tr-8.2ns /P-FET+diode (trr-26ns)
3900 
В наличии: 13 шт.
+
2200 
В наличии: 35 шт.
+
20V , 3.7A , 0.05 Om , gfs-6S ,633pf , tr-48ns , tf-381ns /P-FET+diode (trr-29ns)
3900 
В наличии: 12 шт.
+
2500 
В наличии: 5 шт.
+
21100 
В наличии: 2 шт.
+
11600 
В наличии: 2 шт.
+
N-40V , 0.028 Om , 15A/P-40V , 0.042 Om , 12A , 11W , tr-20ns +zener-2шт+diode-1шт (trr-20ns)
11100 
В наличии: 20 шт.
+
Dual 30V , N-6.9A , P-6A , N-0.028 mO , P-0.035 mO , tr-4ns /NP-FET+diode (trr-16ns)
5900 
В наличии: 11 шт.
+
30V , N-7A , 2W, P-6A , gfs-14/9.6S , tr-11/23ns , tf-4/48ns +diode
14400 
В наличии: 3 шт.
+
30V , N-7A , P-5A , 0.028/0.052 ,gfs-19/11S , tr-7.5ns , tf-3.7/12.3ns +diode
8600 
В наличии: 7 шт.
+
9800 
В наличии: 19 шт.
+
9100 
В наличии: 2 шт.
+
17000 
В наличии: 1 шт.
+
20V, 2A , 0.9W , 0.093 mO , 20ns , 10ns , gfs-6.5S , in-500pf /P-FET+diode/
2900 
В наличии: 21 шт.
+
N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A < 28mΩ RDS(ON)
11500 
В наличии: 12 шт.
+
5000 
В наличии: 9 шт.
+
17000 
В наличии: 1 шт.
+
12000 
В наличии: 3 шт.
+
DUAL , 35V , N-15A , 0.03 Om/35V , P-12A , 0.048 Om , 11W , tr-7ns +diode (trr-18ns) NP-FET
11200 
В наличии: 53 шт.
+
15500 
В наличии: 8 шт.
+
20.7A, 208W, <0,19Om , Gfs-17,5s, tr-5ns, tf-4,5ns / N-FET+diode (trr-500ns)
16800 
В наличии: 3 шт.
+
21000 
В наличии: 10 шт.
+
60V, 20A, 31.3W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
9700 
В наличии: 9 шт.
+
- Power Mosfet N-channel, 60V, 20A, TO-252-2L
8600 
В наличии: 1 шт.
+
24500 
В наличии: 6 шт.
+
12000 
В наличии: 10 шт.
+
100V, 26A, 50W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
8500 
В наличии: 9 шт.
+
100V, 33A, 54W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
9700 
В наличии: 9 шт.
+
40V, 35A, 50W, 0.0124Om ,gfs-60S,Vgs-1.7-2.7v, in-980pf, tr-12ns , tf-7ns /N-FET+diode (trr-12ns)
17000 
В наличии: 1 шт.
+
60V, 35A, 70W, VGS-1-2.5v, 0.025 Om, GFS-25S, tr-102ns, tf-25ns, in-1600pf /N-FET+diode(trr-70ns)
13100 
В наличии: 6 шт.
+
60V , 35A , 80W , 0.014 Om , gfs-28S,VGS-1v, tr-100ns, tf-20ns, in-1700pf /N-FET+diode (trr-80ns)
15800 
В наличии: 1 шт.
+
Power Mosfet N-channel+Diode, 60V, 50A, 136W
9500 
В наличии: 3 шт.
+
11500 
В наличии: 4 шт.
+
Power Mosfet N-channel+Diode, 60V, 58A, 85W TO-252-2L
12000 
В наличии: 10 шт.
+
Power Mosfet N-channel, 60V, 60A, 85W TO-252-2L
11500 
В наличии: 10 шт.
+
12000 
В наличии: 8 шт.
+
70A , 60V, 142W, gfs-50S, in-2400pf , rDS(on)-0.014 Om , 11ns , VGS(th) -3-4v, N-FEET+diode(trr-70ns)
28500 
В наличии: 4 шт.
+
60V, 72A, 34.7W, TO-252-2L, Power MOSFET, N-Channel
11000 
В наличии: 10 шт.
+
11000 
В наличии: 8 шт.
+
14500 
В наличии: 10 шт.
+
70V, 80A, 178W, TO-252-2L, 40V, N-Channel
12000 
В наличии: 10 шт.
+
12500 
В наличии: 8 шт.
+
- Power Mosfet N-channel+diod, 60V, 80A, 110W TO-252-2L
11000 
В наличии: 10 шт.
+
12000 
В наличии: 10 шт.
+
11500 
В наличии: 6 шт.
+
60V, 50A, 110W, 0.015 Om /N-FET+diode (trr75ns)
11100 
В наличии: 21 шт.
+
15800 
В наличии: 1 шт.
+
600V , 7A , 0.95 Om , 125W ,vgs-3-4.5V ,tt-19ns ,tf-15ns, in-1110pf /N-FET+Zener(2шт)+diode(trr-480ns)
19500 
В наличии: 3 шт.
+
7800 
В наличии: 2 шт.
+
70W , 0.028 Om , Vgs-1V , gfs-23S , tr-122ns , tf-26ns /P-FET+diode (trr-40ns)
17000 
В наличии: 8 шт.
+
21600 
В наличии: 1 шт.
+
35000 
В наличии: 2 шт.
+
25V , 20ma , Макс. напр. затвор-исток Uзи-3V, Крутизна характеристики S,мA- 2V, 0,2W
6000 
В наличии: 7 шт.
+
Транзисторы КП303Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты, частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12 (маркировка КП303Г, 3ГС6, 3ГС3)
12000 
В наличии: 8 шт.
+
Макс. напр. затвор-исток Uзи-: 27 В , Крутизна характеристики: 1... 5мА/В , 0,2W , КТ-1-12 сток-исток: 20 В, затвор-исток: 30 В, р-n переходом
8500 
В наличии: 4 шт.
+
с двумя изолированными затворами и каналом N-типа, (марк. 1-й белой каплей) с p-n переходом
6000 
В наличии: 7 шт.
+
с двумя изолированными затворами и каналом N-типа, (марк. 2-е белые капли) с p-n переходом
6000 
В наличии: 10 шт.
+
15V , 30ma , Макс. напр. затвор-исток Uзи-: 0,17…6 В , Крутизна характеристики: 6 мА/В , 0,2W , КТ-1-14 каналом n-типа и двумя изолированными затворами
22000 
В наличии: 5 шт.
+
3600 
В наличии: 30 шт.
+
9600 
В наличии: 2 шт.
+
8900 
В наличии: 2 шт.
+
52500 
В наличии: 12 шт.
+
28300 
В наличии: 5 шт.
+
3800 
В наличии: 6 шт.
+
1400 
В наличии: 8 шт.
+
38500 
В наличии: 3 шт.
+
69500 
В наличии: 1 шт.
+
33200 
В наличии: 1 шт.
+
59500 
В наличии: 3 шт.
+
Вес : 0,82 кг Ток Нагрузки : номинальный - не менее 1,0 А Тип : трансформатор питания 220 В 50 Гц Цвет : маркировка выводов - красный - 220 В; зеленый - 12 В; белый - 12 В Напряжение : вторичных обмоток (2) при номинальной нагрузке - 2х12 В Максимальная Выходная Мощность : 25 Вт Диапазон Рабочих Температур : …+40 °С Дополнительно : сердечник ЕI 57х35
1 09500 
В наличии: 2 шт.
+
49700 
В наличии: 2 шт.
+
59500 
В наличии: 4 шт.
+
Показать еще 128 товаров