Описание
SMD N-P-N 0,1A , 65/80V
(hFE -A=90/B=150/C=270) Uni; 100MHz
Тип проводимости : NPN
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В : 65
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В : 80
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В : 6
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В : 0,5
Максимальный постоянный ток коллектора, А : 0,1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт : 0,2
Коэффициент усиления hFE мин. : 200
Коэффициент усиления hFE макс. : 450
Граничная частота ft, МГц : 100
Корпус : SOT-23
(hFE -A=90/B=150/C=270) Uni; 100MHz
Тип проводимости : NPN
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В : 65
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В : 80
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В : 6
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В : 0,5
Максимальный постоянный ток коллектора, А : 0,1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт : 0,2
Коэффициент усиления hFE мин. : 200
Коэффициент усиления hFE макс. : 450
Граничная частота ft, МГц : 100
Корпус : SOT-23