Описание
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4.5
Корпус транзистора: TO-3PH
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4.5
Корпус транзистора: TO-3PH
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.