Электронные компоненты
Элементы питания
Видеонаблюдение, видеокамеры
Светодиодные изделия, освещение
Запчасти для бытовой и промышленной техники
Кабель, провода, кабельная продукция
Электронные конструкторы
Блоки питания
Автомобильное оборудование, аксессуары
Паяльное оборудование, припои, принадлежности
Вентиляторы, решетки
Коммутация
Электронные устройства, модули
Зарядные устройства
Акустические компоненты, микрофоны, зуммеры
Бытовая техника
Оптика
Магниты неодимовые
Измерительные приборы
Химия для электроники
Телевидение
Пульты управления, рем.комплекты для ПДУ
Установочные изделия
Инструмент
Защитные устройства
Электродвигатели
Антенны, кронштейны, аксессуары
Компьютерные аксессуары
Расходные, изолирующие материалы
Разъемы, переходники
ТДКС для телевизоров
Электротовары
Умный дом
Телефония
Крепёж, стойки для печатных плат
Клеммы, наконечники, втулки, скотчлоки, блоки зажимов
Акции, уцененные товары
Все категории товаров
Описание
Транзисторы ГТ806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами
Структура: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30W
fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10MHz
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5V
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15А
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04Ом
Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами
Структура: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30W
fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10MHz
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5V
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15А
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04Ом