Электронные компоненты
Элементы питания
Видеонаблюдение, видеокамеры
Светодиодные изделия, освещение
Запчасти для бытовой и промышленной техники
Кабель, провода, кабельная продукция
Электронные конструкторы
Блоки питания
Автомобильное оборудование, аксессуары
Паяльное оборудование, припои, принадлежности
Вентиляторы, решетки
Коммутация
Электронные устройства, модули
Зарядные устройства
Акустические компоненты, микрофоны, зуммеры
Бытовая техника
Оптика
Магниты неодимовые
Измерительные приборы
Химия для электроники
Телевидение
Пульты управления, рем.комплекты для ПДУ
Установочные изделия
Инструмент
Защитные устройства
Электродвигатели
Антенны, кронштейны, аксессуары
Компьютерные аксессуары
Расходные, изолирующие материалы
Разъемы, переходники
ТДКС для телевизоров
Электротовары
Умный дом
Телефония
Крепёж, стойки для печатных плат
Клеммы, наконечники, втулки, скотчлоки, блоки зажимов
Акции, уцененные товары
Все категории товаров
Описание
Технические характеристики прибора:
Автоматическое определение расположения выводов :
- биполярных транзисторов (N-P-N и P-N-P);
- полевых транзисторов (N- и P-канальных MOSFET и JFET);
- диодов и диодных сборок;
- тиристоров;
- симисторов.
- IGBT-транзисторов
Измерение:
- коэффициента усиления (h21э) , падение напряжения на переходе база-эмиттер, обратный ток утечки К-Э биполярных транзисторов;
- напряжения открывания, емкости затвора , сопротивления открытого канала, наличие защитного диода С-И (и прямое падение напряжения на нем) полевых транзисторов;
- сопротивления до 2-х резисторов одновременно (удобно при проверке переменных/подстроечных резисторов) в пределах от 0.1 Ом до 50 МОм;
- емкости конденсаторов в пределах от 10 пФ до 100 000 мкФ;
- падения напряжения (прямое включение), емкости (обратное включение) и тока утечки диодов;
- индуктивности в пределах от 0.01 мГн до 20 Гн;
- напряжения стабилизации стабилитронов (до 36В).
Потребляемый ток:
- 0 в выключенном состоянии;
- 13-25мА в режиме измерен
Автоматическое определение расположения выводов :
- биполярных транзисторов (N-P-N и P-N-P);
- полевых транзисторов (N- и P-канальных MOSFET и JFET);
- диодов и диодных сборок;
- тиристоров;
- симисторов.
- IGBT-транзисторов
Измерение:
- коэффициента усиления (h21э) , падение напряжения на переходе база-эмиттер, обратный ток утечки К-Э биполярных транзисторов;
- напряжения открывания, емкости затвора , сопротивления открытого канала, наличие защитного диода С-И (и прямое падение напряжения на нем) полевых транзисторов;
- сопротивления до 2-х резисторов одновременно (удобно при проверке переменных/подстроечных резисторов) в пределах от 0.1 Ом до 50 МОм;
- емкости конденсаторов в пределах от 10 пФ до 100 000 мкФ;
- падения напряжения (прямое включение), емкости (обратное включение) и тока утечки диодов;
- индуктивности в пределах от 0.01 мГн до 20 Гн;
- напряжения стабилизации стабилитронов (до 36В).
Потребляемый ток:
- 0 в выключенном состоянии;
- 13-25мА в режиме измерен