Активные компоненты

700V/8A/50W/3MHZ/N/ (BDY94/BUX82/BUX83/2N5240/2N6079/2SC1576/2SC2137/КТ828Б/КТ704Б/2N3585)
24500 
В наличии: 4 шт.
+
4000 
В наличии: 75 шт.
+
5700 
В наличии: 1 шт.
+
3500 
В наличии: 71 шт.
+
7000 
В наличии: 38 шт.
+
29500 
В наличии: 4 шт.
+
B1-B2-12, Uкэ- 100V, Iкм-10A , Pк-60W / N-P-N /
8500 
В наличии: 46 шт.
+
17500 
В наличии: 12 шт.
+
14900 
В наличии: 1 шт.
+
/750-18000/Uкэ-60v/Iкм-20A/Iкimp-30 / Darl /Pт-125w TO3-2 (BDX62/BDX64/BDX66/BDX88/BDX88A/MJ2500/MJ4030/2N6050/2N6285) P-N-P
39500 
В наличии: 4 шт.
+
Транзисторы КТ826В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3)
18000 
В наличии: 1 шт.
+
/750-18000/Uкб-80v/Uкэ-80v/20A/Iкм-40/Pт-125w (BDX63/BDX65/BDX67/BDX85B/BDX87B/MJ3001/MJ4034/2N6058/2N6283) N-P-N
49500 
В наличии: 7 шт.
+
2900 
В наличии: 55 шт.
+
18700 
В наличии: 1 шт.
+
TO220
(B1-B2-40-200/Uкб-250в/Uкэ--200в/2A/25W/Iкбо-<=100мкА/P/)
9500 
В наличии: 23 шт.
+
5500 
В наличии: 18 шт.
+
6200 
В наличии: 21 шт.
+
6500 
В наличии: 9 шт.
+
11700 
В наличии: 1 шт.
+
3000 
В наличии: 10 шт.
+
КТ-27-2/TO-126
0,1А 250V 6W h21= 50-250 60Mhz N-P-N
4500 
В наличии: 121 шт.
+
B1-B2- 750/Uкб-60V/Uкэ-60V/Iкн-4A/Pт-8W , 20Мгц /N+Darl/
4500 
В наличии: 26 шт.
+
8500 
В наличии: 47 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Импортный аналог: 2NU72, 3NU72, 4NU72, ADP665, ASY76, ASY80, AD152, AD164
8500 
В наличии: 1 шт.
+
5700 
В наличии: 2 шт.
+
5700 
В наличии: 2 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
12500 
В наличии: 3 шт.
+
8900 
В наличии: 28 шт.
+
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 0,5 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,6 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30.. 80 Обратный ток коллектора 25 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 1 МГц
12000 
В наличии: 1 шт.
+
39500 
В наличии: 2 шт.
+
Транзисторы ГТ806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Структура: p-n-p Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30W fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10MHz Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15А h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100 Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04Ом
24500 
В наличии: 12 шт.
+
Транзисторы КТ3102Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
12000 
В наличии: 3 шт.
+
Транзистор NPN, высокочастотный, малой мощности, КТ-17
14500 
В наличии: 1 шт.
+
10800 
В наличии: 3 шт.
+
120V , 1A , h21-40-120 , 0.8W , 50MHz золото NPN КТ-2-7 (ТО39)
19500 
В наличии: 4 шт.
+
Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6
3500 
В наличии: 95 шт.
+
Транзисторы МП26А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Импортный аналог: GC112, MA909, MA910.
3500 
В наличии: 14 шт.
+
Транзисторы МП26Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6.
3500 
В наличии: 54 шт.
+
3600 
В наличии: 1 шт.
+
2900 
В наличии: 91 шт.
+
Транзисторы МП38 германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6
6500 
В наличии: 1 шт.
+
10W; Ucb: 60V; Uce: -; Ueb: 10V; Ic: 5A; Tj: 75°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 20MIN P-N-P
5500 
В наличии: 21 шт.
+
8900 
В наличии: 60 шт.
+
9500 
В наличии: 1 шт.
+
П602АИ используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
11500 
В наличии: 1 шт.
+
П605 используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
6500 
В наличии: 17 шт.
+
DIP4
100V, 1A, 1,3W, <0,54к (0,6A) /N-FET-e /+diode
9200 
В наличии: 6 шт.
+
(SSS4N60B/MDF4N60B/STP3NK60ZFP/STP4NK60ZFP) orig (IRFBC30) 600V, 2,6A, 36W , 2.2Ohm / N-FET+diode /
8500 
В наличии: 44 шт.
+
800V, 2.8A, 47W, 2.2 Om ,gfs--2.92S , tr-40ns /N-FET+diode (trr-470ns)
11600 
В наличии: 8 шт.
+
8500 
В наличии: 44 шт.
+
18000 
В наличии: 1 шт.
+
TO220F
900V , 3A , 40W , 3,7Om , Yfs-2,6s, tr-20ns, tf-35ns /N-FET+zener +diode (trr-850ns)
12900 
В наличии: 2 шт.
+
12600 
В наличии: 20 шт.
+
9000 
В наличии: 16 шт.
+
14400 
В наличии: 8 шт.
+
55V, 4,7A, 2W, Gfs-7.9S, tr-3.2ns, tf-13ns, trr-60ns, /N-FET/
9300 
В наличии: 14 шт.
+
/1500V, 4A, 60W, Yfs-1.5S, tr-1.5s, tf-40ns/ N-FET-e
39500 
В наличии: 18 шт.
+
(4N80FP=800V) 900V, 4A, 47W, 3.5 Om , tr-50ns/ N-FET+diode (trr-450ns)
11500 
В наличии: 25 шт.
+
11200 
В наличии: 5 шт.
+
5.2A, 650V, 30W, vgs-2.5-3.5v, tf-6ns, in-225pf, N-FET+diode(trr-200ns)
29500 
В наличии: 4 шт.
+
(STP6NA60F) 600V, 5,5A, 40W, <2 Om , tr-45ns / N-FET+diode(310ns)
9500 
В наличии: 6 шт.
+
TO220F/SC67
550V, 5,5A, 35W, Yfs-3,2S, tr-18ns, tf-8ns, / N-fet+diode (trr-1000ns)
15800 
В наличии: 3 шт.
+
42700 
В наличии: 11 шт.
+
/450V, 5A, 50W, <1,83к, 50/120ns / N-FET-e
9300 
В наличии: 1 шт.
+
TO220F
600V, 5A, 25W, <1,6к N-FET+zener (2шт) +diode (trr-645ns)
9800 
В наличии: 12 шт.
+
(аналог UTC6N40, FQP6N40, и др.) 400V, 6A
9500 
В наличии: 1 шт.
+
Силовой полевой транзистор с двойным N-канальным логическим улучшением режима
10700 
В наличии: 4 шт.
+
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET TO-92 для обеспечения превосходного RDS(ON) с низким зарядом затвора. Общие характеристики: VDS = 100V, ID = 6A, RDS(ON) < 140mOM. Используется в самых различных устройствах и областях применения: высокочастотные цепи переключения, источники бесперебойного питания, сварочные инверторы.
8700 
В наличии: 23 шт.
+
500V, 7.2A, 110W, <0,72 Om, Gfs-3.5s, tr-20ns, tf-13ns, trr-238ns, N-FET+diod /
11000 
В наличии: 10 шт.
+
(FQPF7N60, 7N60) - Power MOSFET, N-Channel, 600V, 7A,
15000 
В наличии: 1 шт.
+
500V, 8A, 40W, (2SK2842) 0.75 Om, yfs-6.5S , tr-26ns , tf-38ns /N-FET+zener(2шт)+diode(trr-1200ns)
23100 
В наличии: 6 шт.
+
(SiHF840/FQP10N60C/FQP9N50/КП770А) 500V, 8A, 125W, 0,85 Om , vgs-2-4V , gfs-4.9S , tr-23ns , tf-20ns , in-1300pf / N-FET+diode (460ns) TO220
9500 
В наличии: 17 шт.
+
11600 
В наличии: 6 шт.
+
(SSS10N60B/IRF840/IRF840A/FQP9N50) 600V , 9.5A , 50W , 0.73 Om , gfs-8S , tr-69ns , tf-77ns /N-FET+diode (trr-90ns)
14500 
В наличии: 15 шт.
+
24500 
В наличии: 10 шт.
+
47600 
В наличии: 3 шт.
+
(SiHF740/HFP730/КП768А/FTP10N40/WFP740) Vgs-20v , 400V, 10A, 125W, 0.55 Om , Vgs-2-4V , Gfs-5.8S ,tr-27ns ,tf-24ns , in-1400pf /N-FET+diode (trr-370ns)
14000 
В наличии: 23 шт.
+
(SiHF740/HFP730/КП768А/FTP10N40/WFP740) Vgs-30v , 400V, 10A, 125W, 0.55 Om , Vgs-2-4V , Gfs-4.9S ,tr-35ns ,tf-22ns , in-1030pf /N-FET+diode (trr-240ns)
17300 
В наличии: 9 шт.
+
(FQPF13N10/IRF640/2SK1036/2SK1762/2SK2011/2SK2212, ++) 200V, 10A, 40W, <0,18к (10A)
11100 
В наличии: 8 шт.
+
Показать еще 128 товаров