/750-18000/Uкб-100v/Uкэ-100v/20A/Iкм-40 / Darl /Pт-125w (BDX63/BDX65B/BDX67/BDX87C/MJ3521/MJ4035/2N6059/2N6284) N-P-N
59500 
В наличии: 2 шт.
+
49900 
В наличии: 1 шт.
+
/750-18000/Uкб-80v/Uкэ-80v/20A/Iкм-40/Pт-125w (BDX63/BDX65/BDX67/BDX85B/BDX87B/MJ3001/MJ4034/2N6058/2N6283) N-P-N
49500 
В наличии: 7 шт.
+
39500 
В наличии: 2 шт.
+
/750-18000/Uкэ-60v/Iкм-20A/Iкimp-30 / Darl /Pт-125w TO3-2 (BDX62/BDX64/BDX66/BDX88/BDX88A/MJ2500/MJ4030/2N6050/2N6285) P-N-P
39500 
В наличии: 4 шт.
+
750-18000/Uкб-60v/Uкэ-60v/20A/Iкм-40 / Darl /Pт-125w (BDX85/BDX85A/BDX87/BDX87A/MJ3000/MJ3520/MJ4033/2N6057/2N6282) N-P-N
31500 
В наличии: 2 шт.
+
29500 
В наличии: 4 шт.
+
B1-B2=20- 125//Uкэ=130v/Iк=10A/Iбм=4A/Pт=70w /N-P-N/ TO3-2
28500 
В наличии: 50 шт.
+
Транзисторы ГТ806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Структура: p-n-p Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30W fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10MHz Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15А h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100 Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04Ом
24500 
В наличии: 12 шт.
+
700V/8A/50W/3MHZ/N/ (BDY94/BUX82/BUX83/2N5240/2N6079/2SC1576/2SC2137/КТ828Б/КТ704Б/2N3585)
24500 
В наличии: 4 шт.
+
B1-B2=20- 125//Uкэ=70v/Iк=10A/Iбм=4A/Pт=70w /N-P-N/ TO3-2
22000 
В наличии: 5 шт.
+
120V , 1A , h21-40-120 , 0.8W , 50MHz золото NPN КТ-2-7 (ТО39)
19500 
В наличии: 4 шт.
+
18700 
В наличии: 1 шт.
+
TO3PB
350V, 20A, 125W, N-P-N
18500 
В наличии: 3 шт.
+
Транзисторы КТ826В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3)
18000 
В наличии: 1 шт.
+
17500 
В наличии: 12 шт.
+
14900 
В наличии: 1 шт.
+
14600 
В наличии: 15 шт.
+
Транзистор NPN, высокочастотный, малой мощности, КТ-17
14500 
В наличии: 1 шт.
+
14500 
В наличии: 2 шт.
+
КТ1-7
транзистор биполярный, кремниевый двухэмиттерный, p-n-p структуры переключательный, для модуляторов, корпус металлостеклянный КТ1-
14400 
В наличии: 2 шт.
+
30ма, 30В, 0,3W, R=4-9K, 200кГц, h21-0.65-0.9
14000 
В наличии: 1 шт.
+
12500 
В наличии: 3 шт.
+
Структура: n-p-n Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150mW Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 600MHz Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12V Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50mA Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60...180 при 3В; 5мА Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
12500 
В наличии: 88 шт.
+
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 0,5 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,6 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30.. 80 Обратный ток коллектора 25 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 1 МГц
12000 
В наличии: 1 шт.
+
Транзисторы КТ3102Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
12000 
В наличии: 3 шт.
+
Транзисторы КТ3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
12000 
В наличии: 2 шт.
+
11700 
В наличии: 4 шт.
+
11700 
В наличии: 1 шт.
+
(КТ602А=h21-20-80/КТ602Г=80V) 120/100V , 0.075A , 0.85W , h21-50-200 , 150MHz никель
11500 
В наличии: 1 шт.
+
П602АИ используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
11500 
В наличии: 1 шт.
+
10800 
В наличии: 3 шт.
+
TO220
(B1-B2-40-200/Uкб-250в/Uкэ--200в/2A/25W/Iкбо-<=100мкА/P/)
9500 
В наличии: 23 шт.
+
9500 
В наличии: 32 шт.
+
9500 
В наличии: 1 шт.
+
9000 
В наличии: 10 шт.
+
8900 
В наличии: 60 шт.
+
8900 
В наличии: 28 шт.
+
Показать еще 64 товара