11700 
В наличии: 1 шт.
+
3000 
В наличии: 10 шт.
+
КТ-27-2/TO-126
0,1А 250V 6W h21= 50-250 60Mhz N-P-N
4500 
В наличии: 121 шт.
+
B1-B2- 750/Uкб-60V/Uкэ-60V/Iкн-4A/Pт-8W , 20Мгц /N+Darl/
4500 
В наличии: 26 шт.
+
8500 
В наличии: 47 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Импортный аналог: 2NU72, 3NU72, 4NU72, ADP665, ASY76, ASY80, AD152, AD164
8500 
В наличии: 1 шт.
+
5700 
В наличии: 2 шт.
+
5700 
В наличии: 2 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
12500 
В наличии: 3 шт.
+
8900 
В наличии: 28 шт.
+
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 0,5 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,6 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30.. 80 Обратный ток коллектора 25 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 1 МГц
12000 
В наличии: 1 шт.
+
39500 
В наличии: 2 шт.
+
Транзисторы ГТ806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Структура: p-n-p Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30W fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10MHz Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15А h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100 Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04Ом
24500 
В наличии: 12 шт.
+
Транзисторы КТ3102Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
12000 
В наличии: 3 шт.
+
Транзистор NPN, высокочастотный, малой мощности, КТ-17
14500 
В наличии: 1 шт.
+
10800 
В наличии: 3 шт.
+
120V , 1A , h21-40-120 , 0.8W , 50MHz золото NPN КТ-2-7 (ТО39)
19500 
В наличии: 4 шт.
+
Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6
3500 
В наличии: 95 шт.
+
Транзисторы МП26А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Импортный аналог: GC112, MA909, MA910.
3500 
В наличии: 14 шт.
+
Транзисторы МП26Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6.
3500 
В наличии: 54 шт.
+
3600 
В наличии: 1 шт.
+
2900 
В наличии: 91 шт.
+
Транзисторы МП38 германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6
6500 
В наличии: 1 шт.
+
10W; Ucb: 60V; Uce: -; Ueb: 10V; Ic: 5A; Tj: 75°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 20MIN P-N-P
5500 
В наличии: 21 шт.
+
8900 
В наличии: 60 шт.
+
9500 
В наличии: 1 шт.
+
П602АИ используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
11500 
В наличии: 1 шт.
+
П605 используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
6500 
В наличии: 17 шт.
+
TO220
Power NPN Transistor 150V, 1.5A, 25W
6000 
Нет в наличии
34900 
Нет в наличии
71600 
Нет в наличии
18500 
Нет в наличии
50W; Ucb: 120V; Uce: -; Ueb: 4V; Ic: 10A; Tj: 150°C; Ft: 7.2MHz; Cc: 500; Hfe: 10/50 N-P-N (2N4913/2N4914/2N4915/2N5427/2N5429/2SC1113/2SC1618/2SC1619/2SD201/2SD202/2SD203) 
71600 
Нет в наличии
14500 
Нет в наличии
(MJ2501/КТ825Г/2N6287) Uкб-100v/ Uкэ-100V / Iкм-20A/ Iк imp-40А/ h21е-500-18000 / Darl / Pk-160W/ P-N-P
39500 
Нет в наличии
Uкэ-80v/ Iкм-20A/ Iк imp-40/ h21-750-18000 / Darl /Pk-125w/ P-N-P
39500 
Нет в наличии
Uкб-60v/ Uкэ-60v/ Iкм-20A/ Iк imp-40/ h21-750-18000 / Darl /Pk-160w/ P-N-P
39000 
Нет в наличии
Транзисторы КТ117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах, преобразователях. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18)
12000 
Нет в наличии
Показать еще 42 товара