5700 
В наличии: 3 шт.
+
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Импортный аналог: 2NU72, 3NU72, 4NU72, ADP665, ASY76, ASY80, AD152, AD164
8500 
В наличии: 1 шт.
+
5700 
В наличии: 2 шт.
+
5700 
В наличии: 2 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
5700 
В наличии: 3 шт.
+
12500 
В наличии: 3 шт.
+
8900 
В наличии: 28 шт.
+
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 0,5 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,6 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30.. 80 Обратный ток коллектора 25 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 1 МГц
12000 
В наличии: 1 шт.
+
39500 
В наличии: 2 шт.
+
Транзисторы ГТ806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Структура: p-n-p Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30W fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10MHz Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5V Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15А h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100 Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04Ом
24500 
В наличии: 12 шт.
+
Транзисторы КТ3102Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
12000 
В наличии: 3 шт.
+
Транзистор NPN, высокочастотный, малой мощности, КТ-17
14500 
В наличии: 1 шт.
+
10800 
В наличии: 3 шт.
+
120V , 1A , h21-40-120 , 0.8W , 50MHz золото NPN КТ-2-7 (ТО39)
19500 
В наличии: 4 шт.
+
Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6
3500 
В наличии: 95 шт.
+
Показать еще 20 товаров