Электронные компоненты

13200 
В наличии: 2 шт.
+
CRT-HA, hi-res, 1500/700V, 14A, 70W ,Vce-1.5V , / N /
14500 
В наличии: 2 шт.
+
13900 
В наличии: 1 шт.
+
2600 
В наличии: 10 шт.
+
27600 
В наличии: 9 шт.
+
14400 
В наличии: 2 шт.
+
18900 
В наличии: 1 шт.
+
4000 
В наличии: 3 шт.
+
7200 
В наличии: 2 шт.
+
18900 
В наличии: 1 шт.
+
33800 
В наличии: 1 шт.
+
35600 
В наличии: 1 шт.
+
(с диодом) >5kHz,300W, tr-20ns tf-24ns gfe-15,7S VCE=4,23V/N-/+diode/
39500 
В наличии: 10 шт.
+
(IGBT серии со сверхбыстрым диодом с мягким восстановлением) >5kHz, 200W, tr-5,0ns tf-6,0ns gfe-19S VCE=2,05V/N-/+diode/
38500 
В наличии: 10 шт.
+
600V, 160W, tr-30ns ,tf-50ns,VCE=2.6V/N/+diode (trr-42ns)
39500 
В наличии: 1 шт.
+
34500 
В наличии: 3 шт.
+
23600 
В наличии: 1 шт.
+
Биполярный транзистор с изолированным затвором с быстрым восстановительным диодом
28500 
В наличии: 1 шт.
+
28500 
В наличии: 21 шт.
+
18500 
В наличии: 6 шт.
+
5000 
В наличии: 1 шт.
+
7300 
В наличии: 1 шт.
+
19800 
В наличии: 2 шт.
+
NF-E, 40V, 0,5A, 0,625W, >140MHz / N /
900 
В наличии: 33 шт.
+
11600 
В наличии: 18 шт.
+
5000 
В наличии: 5 шт.
+
(ST13007A/KSE13007A//MJE13006/KSH13007A) Si-N; S-L; SMPS; 850/400V; 8A; 80W;>4MHz/N/
8500 
В наличии: 92 шт.
+
7200 
В наличии: 37 шт.
+
9800 
В наличии: 42 шт.
+
3600 
В наличии: 37 шт.
+
3000 
В наличии: 1 шт.
+
4000 
В наличии: 1 шт.
+
Uni, 30V, 0,5A, 0,625W, >125MHz,B>5000 / N-Darl
2000 
В наличии: 15 шт.
+
orig Si-P; Vid; 300/300V; 0,5A; 0,625W;>50MHz / P /
1500 
В наличии: 165 шт.
+
11600 
В наличии: 2 шт.
+
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4.5 Корпус транзистора: TO-3PH Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
12500 
В наличии: 2 шт.
+
18500 
В наличии: 3 шт.
+
/ NF/S-L, hfe-1000 , 100V , 2A , 50W , / N-P-N-darl+resistor (2шт) +diode /
6800 
В наличии: 10 шт.
+
NF/S-L, hfe-2500 , 60V , 2A , 50W , / P-darl+resistor (2шт) +diode /
9200 
В наличии: 7 шт.
+
Составной транзистор Plastic Medium-Power NPN Transistor (Power Linear Switching Applications), 100V, 5A
9200 
В наличии: 10 шт.
+
NF/S-L, 100V, 5A, 29W, B>1000 / P-N-P-darl+diode TO220FP (пара TIP122FP)
9500 
В наличии: 16 шт.
+
6000 
В наличии: 10 шт.
+
9500 
В наличии: 10 шт.
+
6500 
В наличии: 4 шт.
+
18700 
В наличии: 4 шт.
+
7200 
В наличии: 2 шт.
+
13600 
В наличии: 2 шт.
+
14500 
В наличии: 6 шт.
+
7800 
В наличии: 1 шт.
+
23600 
В наличии: 2 шт.
+
9200 
В наличии: 4 шт.
+
18900 
В наличии: 2 шт.
+
11700 
В наличии: 4 шт.
+
2000 
В наличии: 44 шт.
+
Транзисторы КТ3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
12000 
В наличии: 2 шт.
+
1400 
В наличии: 38 шт.
+
1500 
В наличии: 46 шт.
+
3600 
В наличии: 1 шт.
+
40V, 0,02A, 0,1W, PNP, h21э-15...180. КТ1/TO18 Металл
7500 
В наличии: 10 шт.
+
4400 
В наличии: 52 шт.
+
2000 
В наличии: 10 шт.
+
300 
В наличии: 37 шт.
+
300 
В наличии: 37 шт.
+
700 
В наличии: 88 шт.
+
700 
В наличии: 8 шт.
+
СИНЯЯ и ТЕМНО-ЗЕЛЕНАЯ точки, N-P-N
2500 
В наличии: 10 шт.
+
4800 
В наличии: 3 шт.
+
800 
В наличии: 82 шт.
+
1000 
В наличии: 360 шт.
+
700 
В наличии: 88 шт.
+
Показать еще 128 товаров