Электронные компоненты

35600 
В наличии: 1 шт.
+
(с диодом) >5kHz,300W, tr-20ns tf-24ns gfe-15,7S VCE=4,23V/N-/+diode/
39500 
В наличии: 10 шт.
+
(IGBT серии со сверхбыстрым диодом с мягким восстановлением) >5kHz, 200W, tr-5,0ns tf-6,0ns gfe-19S VCE=2,05V/N-/+diode/
38500 
В наличии: 10 шт.
+
600V, 160W, tr-30ns ,tf-50ns,VCE=2.6V/N/+diode (trr-42ns)
39500 
В наличии: 1 шт.
+
34500 
В наличии: 3 шт.
+
63600 
В наличии: 5 шт.
+
23600 
В наличии: 1 шт.
+
Биполярный транзистор с изолированным затвором с быстрым восстановительным диодом
28500 
В наличии: 1 шт.
+
17300 
В наличии: 4 шт.
+
19800 
В наличии: 3 шт.
+
28500 
В наличии: 21 шт.
+
18500 
В наличии: 6 шт.
+
5000 
В наличии: 1 шт.
+
7300 
В наличии: 1 шт.
+
2500 
В наличии: 4 шт.
+
19800 
В наличии: 2 шт.
+
2000 
В наличии: 18 шт.
+
Uni, 30/35V, 0,8A, h21-B=85-160/C=100-200/D=150-300 , 120Mhz , 0,625W, 120MHz / P /
1600 
В наличии: 107 шт.
+
1500 
В наличии: 120 шт.
+
NF-E, 40V, 0,5A, 0,625W, >140MHz / N /
900 
В наличии: 33 шт.
+
11600 
В наличии: 18 шт.
+
400/700V , 0.5A ,hFE-20-40 ,VCE (sat) -3V, /N-P-N/
7000 
В наличии: 130 шт.
+
4000 
В наличии: 8 шт.
+
3800 
В наличии: 15 шт.
+
5000 
В наличии: 5 шт.
+
(FJP13007/J13007-2/КТ8126А/ST13007/13007A/13007L) (FJP/MJ/KSE/MJE13004/13005/13006=4A) orig Si-N; S-L; SMPS; 700/400V; 8A; 80W;>4MHz /N/
9500 
В наличии: 90 шт.
+
(ST13007A/KSE13007A//MJE13006/KSH13007A) Si-N; S-L; SMPS; 850/400V; 8A; 80W;>4MHz/N/
8500 
В наличии: 92 шт.
+
TO220
NF-L, 250/250V, 8A, 50W, >30MHz / P/
17000 
В наличии: 6 шт.
+
7200 
В наличии: 37 шт.
+
9800 
В наличии: 42 шт.
+
3600 
В наличии: 37 шт.
+
1400 
В наличии: 192 шт.
+
3000 
В наличии: 1 шт.
+
1800 
В наличии: 134 шт.
+
4000 
В наличии: 1 шт.
+
Uni, 30V, 0,5A, 0,625W, >125MHz,B>5000 / N-Darl
2000 
В наличии: 14 шт.
+
orig Si-P; Vid; 300/300V; 0,5A; 0,625W;>50MHz / P /
1500 
В наличии: 165 шт.
+
11600 
В наличии: 2 шт.
+
orig Uni, 25/40V, 1,5A, h21-C=120-200/D=160-300 , 120Mhz , 0,85W, 100MHz / P / TO92 / Высокая общая рассеиваемая мощность. Возможность высокого тока.Коммутация и отключение средней мощности / Портативный выходной усилитель радиоприемника (класс B, двухтактный)
1400 
В наличии: 105 шт.
+
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4.5 Корпус транзистора: TO-3PH Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
12500 
В наличии: 2 шт.
+
(h21-L-120-200/H-200-350/J-300-400) Uni, 40/25V, 0.5A, 0.2W, 100MHz / N / SMD/ SOT23
500 
В наличии: 163 шт.
+
Uni, 25/40V, 0,5A, h21-B=85-160/C=120-200/D=160-300 , 200Mhz , 0,625W, 150MHz / P /
1400 
В наличии: 107 шт.
+
150/160V , h21-60-240 , 0,35W , VCE-0.5V SOT23 (пара MMBT5551)
1000 
В наличии: 237 шт.
+
1000 
В наличии: 244 шт.
+
1500 
В наличии: 100 шт.
+
800 
В наличии: 267 шт.
+
(КТ6114В/КТ698В) (S8050=0.5A) (h21-B-85-160/C-120-200/D-160-300) Uni, 40/25V, 1.5A, 1W, 190MHz / N /
1400 
В наличии: 83 шт.
+
(h21-L-120-200/H-200-350/J-300-400) Uni, 40/25V, 1.5A, 0.2W, 100MHz / N
400 
В наличии: 85 шт.
+
Uni, 25/40V, 1,5A, h21-B=85-160/C=120-200/D=160-300 , 200Mhz , 1W, 150MHz / P / 2 Вт выходной усилитель портативных радиостанций. Двухтактный режим работы класса B.
1400 
В наличии: 94 шт.
+
Uni, 25/40V, 1,5A, h21-B=85-160/C=120-200/D=160-300 , 200Mhz , 1W, 150MHz / P / SOT23-3 / 2 Вт выходной усилитель портативных радиостанций. Двухтактный режим работы класса B.
400 
В наличии: 100 шт.
+
18500 
В наличии: 3 шт.
+
/ NF/S-L, hfe-1000 , 100V , 2A , 50W , / N-P-N-darl+resistor (2шт) +diode /
6800 
В наличии: 10 шт.
+
NF/S-L, hfe-2500 , 60V , 2A , 50W , / P-darl+resistor (2шт) +diode /
9200 
В наличии: 7 шт.
+
5800 
В наличии: 33 шт.
+
Составной транзистор Plastic Medium-Power NPN Transistor (Power Linear Switching Applications), 100V, 5A
9200 
В наличии: 10 шт.
+
6500 
В наличии: 12 шт.
+
NF/S-L, 100V, 5A, 29W, B>1000 / P-N-P-darl+diode TO220FP (пара TIP122FP)
9500 
В наличии: 16 шт.
+
13100 
В наличии: 20 шт.
+
9500 
В наличии: 18 шт.
+
24500 
В наличии: 2 шт.
+
7400 
В наличии: 16 шт.
+
6000 
В наличии: 10 шт.
+
9500 
В наличии: 10 шт.
+
6500 
В наличии: 4 шт.
+
6000 
В наличии: 13 шт.
+
18700 
В наличии: 4 шт.
+
/ NF-L, 55V, 25A, 125W, >3MHz / N-P-N (пара TIP36C)
19500 
В наличии: 8 шт.
+
/ NF-L, 55V, 25A, 125W, >3MHz / N-P-N (пара TIP36C)
18500 
В наличии: 3 шт.
+
8500 
В наличии: 56 шт.
+
8500 
В наличии: 42 шт.
+
7200 
В наличии: 2 шт.
+
23500 
В наличии: 1 шт.
+
13600 
В наличии: 2 шт.
+
14500 
В наличии: 6 шт.
+
7800 
В наличии: 1 шт.
+
23600 
В наличии: 2 шт.
+
9200 
В наличии: 4 шт.
+
18900 
В наличии: 2 шт.
+
транзистор биполярный, кремниевый двухэмиттерный, p-n-p структуры переключательный, для модуляторов, корпус металлостеклянный КТ1-
14400 
В наличии: 2 шт.
+
Показать еще 128 товаров